【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子材料与半导体器件领域，具体涉及。
技术介绍
忆阻器是一种除电阻、电容、电感以外的新型的二端无源电子元器件，在集成度、功耗、速度、可靠性等方面的潜在优势，能满足新型电子存储材料和器件的大容量、低功耗发展趋势，能够替代闪存(flash)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)，成为下一代高速非易失性存储器。忆阻器的电荷记忆特性与生物神经元突触的学习功能极为相似，是实现认知存储、人工智能的理想电子器件。1971年加州大学伯克利分校的蔡少堂教授理论推导出忆阻器的存在；2008年惠普公司的科研研究人员首次展示了具有Pt/Ti02/Pt器件结构的忆阻器器件，该器件单元由两钼金电极及夹在电极间的TiO2薄膜构成，引发了国际上对忆阻器的研发热潮。在现有的研究中，忆阻器一般都为三层结构，从上到下依次为上电极、存储介质层和下电极，制备每层结构都要经过清洗、光刻和淀积薄膜等繁琐的工艺步骤。繁琐的工艺过程和过多的化学药品极易造成薄膜的损坏和界面的污染，导致工艺可控性差、器件可重复性低。发展更加优化的器件结构和简单有效的制备工艺技术，是解决现有...
【技术保护点】
一种忆阻器，其特征在于，从上往下依次包括上电极、存储介质层、下电极和下电极引导层，下电极引导层用于引导出下电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙华军，王青，张金箭，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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