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本发明涉及了一种忆阻器及其制备方法，属于微电子材料与半导体器件领域。该忆阻器从上往下依次包括上电极、存储介质层、下电极和下电极引导层，导电性良好的下电极引导层起到直接引出下电极的作用。制备忆阻器时首先制备下电极引导层，然后在同一次淀积工艺中...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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