【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双极性薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅电极，位于在所述衬底上；第一绝缘介质层，位于所述栅电极上；金属氧化物半导体有源区，位于所述第一绝缘介质层上并暴露出所述第一绝缘介质层的顶部边缘；第二绝缘介质层，位于所述金属氧化物半导体有源区上；源极和漏极，覆盖所述金属氧化物半导体有源区以及第二绝缘介质层的侧壁，底部延伸并覆盖暴露出的部分所述第一绝缘介质层的顶部边缘，顶部延伸并覆盖所述第二绝缘介质层顶部边缘；有机半导体有源区，与所述金属氧化物半导体有源区的导电类型相反，覆盖在所述第二绝缘介质层、源极和漏极的顶部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：霍思涛，张良，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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