本发明专利技术涉及晶体管、显示装置和电子设备。晶体管包括：栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及适合于半导体层由有机半导体材料形成的情况的晶体管、显示装置和电子设备。具体地，本专利技术涉及在薄膜晶体管(TFT)的上侧上具有电极(例如像素电极)的显示装置和电子设备。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)用作大量电子设备(例如显示器)的驱动装置。这种TFT包括设置在衬底上的栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极。TFT的半导体层由无机材料或有机材料形成。由有机材料形成的半导体层(有机半导体层)预期在成本、柔性等方面具有优势，并且正在进行研究(例如，APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 87，193508 和 APPLIEDPHYSICS LETTERS, 2009，94，055304)。有源矩阵显示装置(例如，K.Akamatsu等人在SID 11DIGEST第198页(2011))在衬底上以下列顺序包括TFT、层间绝缘膜、像素电极、显示层和公共电极。迄今为止，无机半导体材料(例如非晶硅(α-Si))用于TFT的半导体膜。但是近年来，正在积极地研究使用有机半导体材料的有机TFT。
技术实现思路
期望能缺陷更少且效率更高地制造这种使用有机半导体材料的TFT。期望高产量地制造晶体管、显示装置和电子设备。此外，期望由更低的功率来驱动用于显示装置的TFT。在无机TFT领域中，尽管研究了抑制驱动电压的技术，但是很难将无机TFT的技术用于有机TFT。具体地，期望改进有机TFT的TFT特性。还期望提供能够由更低功率驱动的显示装置和具有该显示装置的电子设备。根据本专利技术的实施例，提供晶体管，其包括:栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。根据本专利技术的实施例，提供第一显示装置，其包括多个像素和驱动多个像素的晶体管的显示装置。晶体管包括:栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。根据本专利技术的实施例，提供具有显示装置的第一电子设备。显示装置包括多个像素和驱动多个像素的晶体管的显示装置。晶体管包括:栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。在根据本专利技术的实施例的晶体管、第一显示装置、和第一电子设备中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。因此，在源漏电极的形成处理之后的制造处理中保护接触层。根据本专利技术的实施例，提供第二显示装置，其包括:包括半导体膜的晶体管，半导体膜包括沟道区域；和电极，其电连接到晶体管并覆盖沟道区域。在电极的平面区域内，沟道区域的构成平面形状的侧边中的一对或多对彼此面对的侧边定位成面对电极。根据本专利技术的实施例，提供具有显示装置的第二电子设备。显示装置包括:包括半导体膜的晶体管，半导体膜包括沟道区域；和电极，其电连接到晶体管并覆盖沟道区域。在电极的平面区域内，沟道区域的构成平面形状的侧边中的一对或多对彼此面对的侧边定位成面对电极。在根据本专利技术的实施例的第二显示装置和第二电子设备中，在电极的平面区域内，沟道区域的至少一对彼此面对的侧边定位成面对电极。因此，沟道区域设置在更靠近电极的中心部分的位置上。在根据本专利技术的实施例的晶体管、第一显示装置、和第一电子设备中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。因此，防止接触层在制造处理中受到损坏。因此，抑制由对接触层的损坏造成的制造故障，因此能够提高产量。在根据本专利技术的实施例的第二显示装置和第二电子设备中，在电极的平面区域内，沟道区域的至少一对彼此面对的侧边定位成面对电极。因此，改进沟道区域的各向同性。结果，能够提高TFT特性并节约消耗功率。应当理解，前文的一般描述和下文的详细描述都是示例性的，旨在对要求保护的技术进行进一步说明。附图说明附图用来提供对公开内容的进一步理解，并且并入说明书中并组成说明书的一部分。附图示出实施例，并与说明书一起用来解释本专利技术的原理。图1A是示出根据本专利技术的第一实施例的晶体管的结构的截面图，图1B是示出根据修改形式的晶体管的结构的截面图。图2A和2B是示出以处理顺序制造图1A中所示的晶体管的方法的截面图。图3A和3B是示出在图2B的处理之后的处理的截面图。图4A和4B是各自示出根据对比示例的晶体管的结构的截面图。图5是示出根据修改形式I的晶体管的结构的截面图。图6A至6C是示出以处理顺序制造图5中所示的晶体管的方法的截面图。图7A和7B是各自示出根据本专利技术的第二实施例的晶体管的结构的截面图。图8是示出根据修改形式2的晶体管的结构的截面图。图9是示出根据应用示例1-1的显示装置的电路构造的示图。图10是示出图9中所示的像素驱动电路的示例的等效电路图。图11是示出根据本专利技术的第三实施例的显示装置的主要部分的结构的截面图。图12是示出图11所示的半导体膜和像素电极之间的关系的示图。图13是示出图12中所示的半导体膜的布置的另一示例的示图。图14是示出图12中所示的半导体膜的布置的另一示例的平面图。图15是示出图12中所示的像素电极的另一示例的平面图。图16是示出根据对比示例的显示装置的结构的示图。图17A和17B是示出图11中所示的晶体管的传输特性的示图。图18A和18B是用于说明图12中所示的像素电极的布置和上升电压之间的关系的示图。图19是示出根据另一修改形式的显示装置的主要部分的结构的示图。图20是示出图19中所示的半导体膜和上电极之间的关系的平面图。图21是示出图19中所示的保持电容的另一示例的示图,其中(A)是其平面图，(B)是沿着(A)中的B-B线获得的截面图。图22是示出图21中所示的半导体膜和上电极之间的关系的平面图。图23A和23B是各自示出应用示例I的外观的透视图。图24是示出应用示例2的外观的透视图。图25A是示出从前侧观察的应用示例3的外观的透视图，图25B是示出从后侧观察的外观的透视图。图26是示出应用示例4的外观的透视图。图27是示出应用示例5的外观的透视图。图28A是处于打开状态的应用示例6的正视图，图28B是应用示例6的侧视图，图28C是处于关闭状态的正视图，图28D是左侧视图，图28E是右侧视图，图28F是俯视图，图28G是仰视图。具体实施例方式在下文中，将参照附图描述本专利技术的优选实施例。注意将以下列顺序进行描述。1.第一实施例(连续状态的接触层的示例)2.修改形式I (不连续状态的接触层的示例)3.第二实施例(以连续状态延伸的接触层的示例)4.修改形式2 (以不连续状态延伸的接触层的示例)5.第三实施例(在像素电极的平面区域内部沟道区域的所有侧面定位成面向像素电极的示例)6.修改形式3 (在彼此面对的每个区域中提供保持电容并且两个区域之间具有沟道区域的示例)图1A示出根据本专利技术的第一实施例的晶体管(晶体管I)的横截面结构。晶体管I是使用有机半导体材料用于半导体层的场效应晶体管，即有机TFT。晶体管I用作使用液晶、有机电致发光(EL本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶体管，其包括：栅电极；面对所述栅电极的半导体层，绝缘层位于所述半导体层和所述栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到所述半导体层；和接触层，其设置在一对所述源漏电极中的每一者与所述半导体层之间的载流子移动路径中，所述接触层的端表面被所述源漏电极覆盖。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：牛仓信一，野元章裕，安田亮一，汤本昭，米屋伸英，辻川真平，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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