薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及电子单元技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及使用薄膜晶体管的电子单元，所述薄膜晶体管具有改良的性能及生产稳定性。所述薄膜晶体管包括：有机半导体部，所述有机半导体部包括第一表面及第二表面；邻近第一表面的源极电极部；以及邻近第二表面的漏极电极部。所述源极电极部及所述漏极电极部中的至少一者是包含有机半导体材料的高导电性电极部，所述有机半导体材料的导电性高于有机半导体部的材料的导电性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管(thin-film transistor)、用于制造所述薄膜晶体管的方法以及使用所述薄膜晶体管的电子单元，所述薄膜晶体管包括有机半导体部、源极电极部及漏极电极部。
技术介绍
·近年来，各种各样的电子单元使用薄膜晶体管(TFT)作为开关器件或其他器件。作为TFT，一种使用有机半导体材料来形成半导体层(沟道层)的有机TFT最近被认为有望替代使用无机半导体材料来形成半导体层的无机TFT。这是因为对于有机TFT，能够通过涂布来形成半导体层，从而实现成本下降。同时，对于有机TFT，半导体层能够在比气相沉积法(vapor deposition)或其他工艺中的温度低的温度下形成，由此可使用低耐热性柔性塑料膜或其他材料作为支撑基底。有机TFT在支撑基底上包括有机半导体层、源极电极及漏极电极。有机半导体层被设置成与栅极电极之间隔着栅极绝缘层而远离栅极电极，且源极电极及漏极电极均连接至有机半导体层。已知有机TFT可以是顶部接触型结构(top-contact structure)和底部接触型结构(bottom-contact structure)。在顶部接触型结构中，源极电极及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其包括：有机半导体部，所述有机半导体部包括第一表面及第二表面；源极电极部，所述源极电极部邻近所述第一表面；以及漏极电极部，所述漏极电极部邻近所述第二表面，其特征在于，所述源极电极部及所述漏极电极部中的至少一者是包含有机半导体材料的高导电性电极部，所述有机半导体材料的导电性高于所述有机半导体部的材料的导电性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：胜原真央，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：