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本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及使用薄膜晶体管的电子单元，所述薄膜晶体管具有改良的性能及生产稳定性。所述薄膜晶体管包括：有机半导体部，所述有机半导体部包括第一表面及第二表面；邻近第一表面的源极电极部；以及邻近第二表面的漏极电极部...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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