【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种肖特基二极管及其制备方法，尤其涉及一种基于碳纳米管复合材料的肖特基二极管及其制备方法。
技术介绍
肖特基二极管是以贵金属层(金、银、铝、鉑等)为正极，半导体层为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属层-半导体层器件。肖特基二极管具有低功率、大电流及超高速的优点，在电子器件领域备受青睐。现有的肖特基二极管一般用刚性特征的无机半导体层制备而成，制备工艺复杂，而且不能适用于近年来兴起的柔性电子学的发展。因此，由有机半导体层和金属层制备而成的肖特基二极管是未来发展的趋势。近来，有人用有机半导体层copper phthalocyanine (酞花菁铜)制备肖 特基二极管(请参见 Mutabar Shah, M. H. Sayyad, Kh. S. Karimov. Electricalcharacterization of the organic semiconductor Ag/CuPc/Au Schottky diode.Journal of Semiconductors. , 32(4)，044001, 2011)。但是，这种有机半导体层...
【技术保护点】
一种肖特基二极管，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层的电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层的电连接为欧姆接触，其特征在于，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中的多个碳纳米管。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其包括一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层的电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层的电连接为欧姆接触，其特征在于，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中的多个碳纳米管。2.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体层为P型半导体时，第一金属层的功函数小于半导体层的功函数，第二金属层的功函数等于或大于半导体层的功函数；所述半导体层为N型半导体时，第一金属层的功函数大于半导体层的功函数，第二金属层的功函数等于或小于半导体层的功函数。3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体层的功函数为4.6电子伏特至4. 9电子伏特。4.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体层的迁移率为O.I平方厘米每伏特秒至10平方厘米每伏特秒。5.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体层的迁移率为I.98平方厘米每伏特秒。6.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述碳纳米管为半导体性碳纳米管。7.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述绝缘高分子材料为聚二甲基硅氧烷。8.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管及多壁碳纳米管中的一种或多种。9.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述碳纳米管占所述半导体层的质量百分含量为O. 1%至1%。10.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述碳纳米管占所述半导体层的质量百分含量为O. 35%。11.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二金属层、半导体层和第一金属层依次层叠设置。12.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层设置于一绝缘基底的表面，所述半导体层设置于所述第一金属层与第二金属层之间的绝缘基底的表面。13.如权利要求12所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体层至少部分覆盖所述第一金属层以及第二金属层。14.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层的材料为铜、铝、银；所述第二金属层的材料为金、钯、钼。15.如权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层的材料为铜，所述第二金属层的材料为金。16.一种肖特基二极管的制备方法，其包括以下步骤 提供一单体，并将该单体溶于有机溶剂中形成一高分子溶液； 提供一碳纳米管，并将该碳纳米管均匀分散于所述高分子溶液中；提供一交联剂，先蒸发所述有机溶剂，再加入该交联剂，形成一碳纳米管复合材料； 提供一第一金属层，在该第一金属层上利用所述碳纳米管复合材料形成一半导体层；以及 提供一第二金属层，将该第二金属层置于所述半导体层上，形成一肖特基二极管。17.如权利要求16所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述单体为二甲基硅氧烷，所述有机溶剂为乙酸乙酯。1...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡春华，刘长洪，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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