一种有机场效应晶体管的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种有机场效应晶体管的制作方法。该方法包括如下步骤：（1）清洗表面设有栅电极的基底；（2）在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层；所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层；（3）在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶，然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影，得到图案化的源漏电极；然后再置于紫外光下进行再次曝光；再继续蒸镀金膜，然后再显影液处理后得到源漏电极；（4）在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。本发明专利技术具有以下有益效果：1、本方法可以在处理温度低（50℃）的绝缘层上进行光刻。2、采用二次曝光的方法，巧妙的避开了丙酮对于绝缘层的影响。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有机场效应晶体管的制作方法。
技术介绍
近几年，有机电子学取得突破性的进展。有机场效应晶体管和电路作为重要的一个分支也引起广泛的关注，其在有机电子器件，比如柔性电子显示器，传感器，有机电子标签和电子纸等，取得很好的成果。光刻技术是一种很重要加工晶体管和电路的技术，它与打印和蒸镀技术相比，因其纳米级别的分辨率和高的集成度的特性使其越来越得到人们的关注。然而，大多数的有机材料不能承受光刻过程中溶液的处理，所以寻找合适的绝缘层是现在的当务之急。目前为止，无机绝缘层材料(二氧化硅和氮化硅)已经得到了很好的应用，但是因为其处理温度太高所以阻碍其在柔性电子器件的发展。而有机绝缘材料也不能承受光刻过程的溶剂处理或者后期的丙酮处理，现在报道的材料中只有经过特殊处理(需要添加 一种交联剂)的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够应用到光刻过程中，但是其处理温度(200° C)已经达到柔性材料(聚萘二甲酸乙二醇酯，PEN)的温度极限，而且超出其玻璃化转变温度(120° C)。为了解决这些光刻过程中遇到的问题，一方面是找到一种新的低温绝缘材料；另一方面就是寻找一种新的光刻方法使原先不能应用到光刻过程的低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机场效应晶体管的制作方法，包括如下步骤：（1）清洗表面设有栅电极的基底；（2）在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层；所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层；（3）在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶，然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影，得到图案化的源漏电极；然后再置于紫外光下进行再次曝光；再继续蒸镀金膜，然后再显影液处理后得到源漏电极；（4）在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种有机场效应晶体管的制作方法，包括如下步骤 (1)清洗表面设有栅电极的基底； (2)在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层；所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层； (3)在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶，然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影，得到图案化的源漏电极；然后再置于紫外光下进行再次曝光；再继续蒸镀金膜，然后再显影液处理后得到源漏电极； (4)在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于步骤(2)中所述聚合物绝缘层的厚度为800nm I μ m。3.根据权利要求I或2所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文平，纪德洋，江浪，董焕丽，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：