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一种肖特基二极管，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层的电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层的电连接为欧姆接触，其特征在于...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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