采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管制造技术

一种采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管，由氧化铟锡（ITO）玻璃衬底兼栅电极、有机聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）栅绝缘层、有机半导体并五苯（Pentacene）钝化层、n型有机半导体C60有源层、Al源电极和Al漏电极叠加组成。本发明专利技术的优点是：以有机半导体材料并五苯超薄层作为绝缘层/有源层界面钝化层的有机场效应晶体管，一方面能减少电荷的俘获，使载流子更容易传输，另一方面，能够有效的改变有源层的形貌和结晶度，提高载流子的迁移率；本发明专利技术提供了一种提高n型有机场效应晶体管器件性能的有效方法，该方法工艺简单、易于实施，便于推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机电子器件
中的有机场效应晶体管，特别是一种采用并五苯(Pentacene)作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管。
技术介绍
有机场效应晶体管由于具有材料来源广、可与柔性衬底兼容、低温加工、适合大批量生产和低成本等突出特点而受到极大关注。随着技术的日渐成熟，有机场效应晶体管在开关、存储器、智能卡及传感器等诸多领域展示出美好的应用前景。然而，尽管有机场效应晶体管的应用取得了很大进展，但大量研究主要集中在P型有机场效应晶体管上，而对η型有机场效应晶体管的研究报道相对较少。其中主要的原因是η型材料不稳定，对氧气和湿度比较敏感。由于在未来的有机互补电路中要求η型和P型的器件都具备很好的性能。因此，研究一种简单而有效的方法用以提高η型有机场效应晶体管的性能是相当重要的。一般而言，有机场效应晶体管的性能不仅与有源层材料相关，而且界面修饰也起着重要作用。一方面修饰层能减少电荷的俘获，使载流子更容易传输，另一方面，能够有效的改变有源层的形貌和结晶度，从而改善载流子的迁移率。本专利技术提出一种简单而有效的栅绝缘层钝化方法来改善η型半导体的结晶度，填补栅绝缘层的陷阱，以提高η本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管，其特征在于：由氧化铟锡（ITO）玻璃衬底兼栅电极、有机聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）栅绝缘层、有机半导体并五苯（Pentacene）钝化层、n型有机半导体C60有源层、Al源电极和Al漏电极叠加组成，其结构表达式为ITO/PMMA/Pentacene/C60/Al。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程晓曼，梁晓宇，杜博群，白潇，樊建锋，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：