组件和包括该组件的电子器件制造技术

本发明专利技术涉及一种包括与半导体层相接触的电介质层的组件。所述电介质层包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料，其中所述电介质层不含氧化锆粒子。所述半导体层包含非聚合物型有机半导体材料，并且基本上不含电绝缘聚合物。本发明专利技术还公开了包括所述组件的电子元件和器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组件和包括该组件的电子器件
技术介绍
多种电子器件包括具有半导体的元件；例如，具有与电介质层接触的半导体层的元件。例如，半导体层和通常被称为“栅极电介质”的电介质层可以是薄膜晶体管(TFT)的一部分。认为栅极电介质的物理和化学性质皆影响在与栅极电介质连接的界面处的有机半导体的电子性能。当有机TFT(OTFT)在开启状态下时，即当已达到或超过某个栅极到源极的偏压并且漏电流已呈指数方式上升时，随着电荷从源电极通过有机半导体沿该界面传输到漏极，该界面对于性能而言是至关重要的。因此，人们在寻找电子性能优越的栅极电介质，所述优越的电子性能例如较高的载流子迁移率、较高的开/关电流比、较低的关断电流以及与有机半导体结合时的较小的亚阈值斜率。在商业产品中实施OTFT所需的一个改进方面是使以相同方式制造的OTFT之间的电子性能更为一致或可重复，并且使同一个OTFT在各循环内的性能更为一致或可重复。人们寻找的是在OTFT运行期间更小的滞后。在驱动OTFT期间，由于多种因素包括电荷捕集和积聚在有机半导体和栅极电介质之间、或栅极电介质的暂时极化、或水分被栅极电介质吸收，可能导致滞后。·专利技术内容在一个方面，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.22 US 61/415,9751.一种组件，包括: 包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料的电介质层，其中所述电介质层不含氧化锆粒子；以及 与所述电介质层接触的半导体层，其中所述半导体层板含有非聚合物型有机半导体材料，并且其中所述半导体层基本上不含电绝缘聚合物。2.根据权利要求1所述的组件，其中所述半导体层不含或基本上不含聚合物型有机半导体。3.根据权利要求1或2所述的组件，其中所述具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料由包含可自由基聚合的异氰脲酸酯单体的单体组合物制成。4.根据权利要求3所述的组件，其中所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体包含至少两个(甲基)丙烯酰基团。5.根据权利要求3或4所述的组件，其中所述单体组合物包含基于所述单体组合物中的可自由基聚合的化合物的总重量计至少95重量％的所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体。6.根据权利要求3或4所述的组件，其中所述单体组合物包含基于所述单体组合物中的可自由基聚合的化合物的总重量计至少99重量％的所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体。7.根据权利要求3至6中任一项所述的组件，其中所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体包括三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯。8.根据权利要求1至7中任一项所述的组件，其中所述非聚合物型有机半导体包含并苯、杂并苯或它们的取代衍生物。9.根据权利要求8所...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·S·克拉夫，J·C·诺瓦克，D·H·雷丁杰，毛国平，M·E·格里芬，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：
国别省市：