【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:基板;形成于所述基板之上沿第一方向延伸的公共电极线和栅线;形成于所述公共电极线和所述栅线上的绝缘缓冲层;形成于所述绝缘缓冲层上的有源层,所述有源层包括源极区域、漏极区域和至少一个沟道区域,所述沟道区域位于所述公共电极线的正上方;形成于所述有源层之上的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层包括第一过孔组和第二过孔,所述第一过孔组中包含的第一过孔的数目与所述沟道区域的数目相同;形成于栅极绝缘层之上的栅极引线、源极、栅极和数据线,所述栅极引线通过第一过孔与所述栅线相连,所述源极通过第二过孔与有源层的源极区域接触,所述栅极与栅极绝缘层接触,所述数据线和栅极引线沿第二方向延伸。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:林嘉民,李俊谊,彭涛,
申请(专利权)人:厦门天马微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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