一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以减少在阵列基板的制造过程中构图工艺的次数，有效降低产品的生产成本。阵列基板包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，还包括：依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜；所述金属氧化物薄膜的图形、所述刻蚀阻挡层薄膜的图形以及所述源漏金属层薄膜的图形通过一次构图工艺形成；通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。本实用新型专利技术实施例用于制造显示装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)显示技术的不断发展，越来越多的新技术不断地被提出和应用。基于ADS (ADvanced Super Dimension Switch, AD-SDS,简称 ADS,高级超维场转换技术)模式的TFT-LCD凭借其低功耗、宽视角等特点，得到了越来越多人们的关注。ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技术的TFT-1XD产品不仅在画面品质上有所提高，且具有高分辨率、高透过率、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。对于ADS型TFT-1XD而言，公共电极需要制作在阵列基板上，这就在ADS型TFT-LCD的阵列基板制作过程中需要额外增加一次形成公共电极的构图工艺。因此在现有技术中通常需要通过7次构图工艺制造ADS型TFT-1XD阵列基板，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。构图工艺的次数过多将直接导致显示装置产品的成本上升，因此如何能够进一步减少构图工艺的次数也就成为了人们日益关注的问题。
技术实现思路
本技术 的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以减少在阵列基板的制造过程中构图工艺的次数，有效降低产品的生产成本。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案:本技术实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，还包括:依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜；所述金属氧化物薄膜的图形、所述刻蚀阻挡层薄膜的图形以及所述源漏金属层薄膜的图形通过一次构图工艺形成；通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。所述刻蚀阻挡层的图形位于所述金属氧化物薄膜图形表面，且覆盖TFT的沟道区域。所述通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域还包括:半导体有源层，所述半导体有源层位于所述刻蚀阻挡层下；用于与所述TFT的源极电连接的源连接电极以及第一透明电极；所述通过构图工艺处理的所述源漏金属层薄膜包括TFT的源极和漏极以及数据线。所述阵列基板还包括:位于所述透明基板和所述金属氧化物薄膜之间的栅线、栅电极以及公共电极线；位于所述栅线、所述栅电极以及所述公共电极线和所述金属氧化物薄膜之间的栅绝缘层。所述阵列基板还包括:位于所述数据线、所述TFT的源极以及所述TFT的漏极的表面的含有第一过孔的钝化层，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，露出公共电极线；位于所述钝化层表面的用于连接所述TFT的源极与所述源连接电极、所述TFT的漏极与所述第一透明电极的连接电极以及第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第一过孔与所述公共电极线电连接。所述阵列基板还包括:位于所述透明基板和所述金属氧化物薄膜之间的栅线、栅电极以及公共电极线；位于所述栅线、所述栅电极以及所述公共电极线和所述金属氧化物薄膜之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔用于连接所述第一透明电极与所述公共电极线。所述阵列 基板还包括:位于所述数据线、所述TFT的源极以及所述TFT的漏极的表面的具有第三过孔的钝化层，所述第三过孔贯穿所述钝化层，露出所述TFT的漏极；位于所述钝化层表面的用于连接所述TFT的源极与所述源连接电极的连接电极以及第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第三过孔与所述TFT的漏极电连接。所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；或，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。所述金属氧化物薄膜采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料，包括:InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO 中的至少一种。本技术实施例的另一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的阵列基板。本技术实施例提供的阵列基板及显示装置，采用一次构图工艺分别形成金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜的图形，并在金属氧化物薄膜的图形区域进行金属化处理以形成第一透明电极。这样一来，刻蚀阻挡层、半导体有源层、第一透明电极以及TFT的源漏极可以通过一次构图工艺加工得到，与现有技术相比，可以将阵列基板制作过程中的构图工艺使用次数减少到4次，从而简化了产品的生产步骤，显著降低了产品的生产成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程示意图；图2为本技术实施例提供的另一阵列基板制造方法的流程示意图；图3为透明基板上形成栅金属层的结构示意图；图4为图3所示的阵列基板上形成金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜的结构示意图；图5为图4所示的阵列基板形成有光刻胶的示意图；图6为图5所不的阵列基板进行刻蚀后的结构不意图；图7为图6所示的阵列基板进行灰化后的结构示意图；图8为图7所示的阵列基板进行金属化处理后的结构示意图；图9为图8所不的阵列基板进行灰化后的结构不意图；图10图9所不的阵列基板进行刻蚀后的结构不意图；图11为本技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图12本技术实施例提供的又一阵列基板制造方法的流程示意图13为本技术实施例提供的另一阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供的阵列基板制造方法，包括在透明基板上形成薄膜晶体管TFT和第一透明电极的步骤，如图1所示，形成第一透明电极的步骤包括:S101、形成金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜。其中，金属氧化物薄膜可以采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料制作而成，例如，金属氧化物薄膜可以包括:InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一种。S102、通过一次构图工艺形成金属氧化物薄膜的图形、刻蚀阻挡层的图形以及源漏金属层薄膜的图形。具体的，可以在依次形成有金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜的基板上通过构图工艺处理形成该金属氧化物薄膜的图形和该刻蚀阻挡层薄膜的图形，以及位于该刻蚀阻挡层薄膜表面的源漏金属层薄膜，该刻蚀阻挡层薄膜覆盖所述TFT的沟道区域。S103、在该金属氧化物薄膜图形区域进行金属化处理以形成第一透明电极。具体的，可以对外露的金属氧化物薄膜进行金属化处理，形成具有导体特性的金属氧化物薄膜，刻蚀阻挡层下未进行金属化处理的部分金属氧化物薄膜形成半导体有源层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，其特征在于，还包括：?依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜；?所述金属氧化物薄膜的图形、所述刻蚀阻挡层薄膜的图形以及所述源漏金属层薄膜的图形通过一次构图工艺形成；?通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，金熙哲，宋泳锡，刘圣烈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：