具有大高宽比FIN结构的三维半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提出一种具有大高宽比FIN结构的三维半导体器件及其形成方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成图形化的介质层；在绝缘层和图形化的介质层之上利用侧墙工艺形成FIN结构；沉积介质层材料以填充空隙，随后进行平坦化处理；在平坦化后的介质层和FIN结构之上开栅结构窗口,栅结构窗口深至绝缘层；在栅结构窗口位置之上形成栅结构。本发明专利技术的方法具有与常规CMOS工艺兼容、质量稳定的优点，用该方法得到的三维半导体器件中的FIN结构具有大的高宽比，具有良好的半导体器件性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
具有大高宽比FIN结构的三维半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供衬底，在所述衬底上形成绝缘层；S2.在所述绝缘层上形成图形化的介质层；S3.在所述绝缘层和所述图形化的介质层之上利用侧墙工艺形成FIN结构；S4.沉积介质层材料以填充空隙，随后进行平坦化处理；S5.在平坦化后的所述介质层和所述FIN结构之上开栅结构窗口,所述栅结构窗口深至所述绝缘层；S6.在所述栅结构窗口位置之上形成栅结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁仁荣，王敬，许军，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：