【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体封装的锡球制造方法及设备
本专利技术创造涉及一种生产直径为0.1-2.0mm用于半导体封装的锡球的生产方法。本专利技术创造还涉及上述生产方法中使用的一种设备。
技术介绍
半导体封装中BGA封装是采用锡球来代替IC元件封装结构中的引脚,BGA封装可以安排更多的I/O,更重要的是可以按功能要求设计从两层到多层集成电路,完成电阻优化。BGA封装采用的锡球具有相当高的尺寸及外形精度要求。现有生产锡球的主要技术有切丝重熔法,先将锡料制成一定规格的锡丝,在裁切成小段,将小段浸入一定温度的溶剂中熔化,凝固成颗粒,在拉丝过程中溶液造成锡丝粗细不均,影响到锡球的尺寸造成成品率低,而且生产设备造价较高。
技术实现思路
本专利技术创造的目的在于提供一种成品率高,产品质量好,并能生产0.1-2.0mm直径的锡球生产方法。本专利技术创造的另一目的在于提供一种生产上述锡球的构造简单造价低廉的设备。本专利技术创造的半导体封装用的锡球生产方法主要有熔化,离心喷射成型,定型冷却,抗氧化处理,筛选,检验及包装,其特征在于:(1)离心喷射成型:将锡液均匀的流入以500-3000转/分钟不断转 ...
【技术保护点】
一种用于半导体封装的锡球的生产方法,按以下步骤进行:熔化,离心喷射成型,定型冷却,抗氧化处理,筛选,检验及包装,其特征在于:(1)离心喷射成型:将锡液均匀的流入以500?3000转/分钟不断转动的并经过预热的半球形转盘中,通过半球形转盘底端的喷嘴喷射出锡球,根据生产锡球大小更换不同径口尺寸的喷嘴;(2)定型冷却:喷射出的锡球落入装有冷却液的冷却槽中冷却定型成球状,冷却液为聚乙二醇溶液,冷却液温度不高于100℃。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体封装的锡球的生产方法,按以下步骤进行:熔化,离心喷射成型,定型冷却,抗氧化处理,筛选,检验及包装,其特征在于:(1)熔化:锡液的温度350-400℃;(2)离心喷射成型:将锡液均匀的流入以800-2500转/分钟不断转动的并经过预热的半球形转盘中,通过半球形转盘底端的喷嘴喷射出锡球,转盘预热温度250-450℃,预热温度与锡液流出熔化炉温度相同,根据生产锡球大小更换不同径口尺寸的喷嘴;(3)定型冷却:喷射出的锡球落入装有冷却液的冷却槽中冷却定型成球状,冷却液为聚乙二醇溶液,冷却液温度不高于80℃。2.根据权利要求1所述的生产方法中使用的设备,它包括熔化炉,管道,喷射成型装置,熔化炉通过管道连接到转盘的正上方,管道内设有流量阀,锡料在熔化炉熔化经过管道流...
【专利技术属性】
技术研发人员:何才雄,陈建平,李云华,汪文珍,杨明,
申请(专利权)人:深圳市创智材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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