温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明创造公开了一种用于半导体封装的锡球制造方法及设备，其方法是将锡料投入熔化炉中熔化并保持锡液温度到250-450℃；熔化后的锡液经过导管连续均匀的流入转速达500-3000转/分钟并经过预热(预热温度与锡液温度相同)的半球形转盘中，再从...该专利属于深圳市创智材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市创智材料科技有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明创造公开了一种用于半导体封装的锡球制造方法及设备，其方法是将锡料投入熔化炉中熔化并保持锡液温度到250-450℃；熔化后的锡液经过导管连续均匀的流入转速达500-3000转/分钟并经过预热(预热温度与锡液温度相同)的半球形转盘中，再从...