传感器器件和方法技术

本发明专利技术公开了传感器器件和方法。一种传感器器件包括半导体芯片。所述半导体芯片具有对于机械载荷敏感的感测区域。柱被机械地耦合到所述感测区域。

【技术实现步骤摘要】
传感器器件和方法
本专利技术涉及传感器器件，并且在特定实施例中涉及感测机械载荷（例如力、压力、张力、应力、弯曲、偏转、应变、伸长、加速度等等）的技术。
技术介绍
在传感器器件的开发中，特别是当设计传感器器件的功能、灵敏度和封装时，可能将特殊要求纳入考虑。传感器器件的制造商和消费者都期望廉价的、尺寸上减小的、并且仍然具有增加的器件功能的传感器器件。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种传感器器件。所述传感器器件包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有对于机械载荷敏感的至少一个感测区域；以及机械地耦合到所述至少一个感测区域的至少一个柱。根据本专利技术的另一方面，提供一种制造传感器器件的方法。所述方法包括：提供半导体芯片，所述半导体芯片具有对于机械载荷敏感的至少一个感测区域；以及形成机械地耦合到所述至少一个感测区域的至少一个柱。根据本专利技术的又一方面，提供一种传感器器件。所述传感器器件包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括感测单元的阵列，其中，每个感测单元包括第一沟道晶体管和第二沟道晶体管，其中所述第一沟道晶体管和所述第二沟道晶体管的沟道具有不同的取向。根据本专利技术的又一方面，提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传感器器件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有对于机械载荷敏感的至少一个感测区域；以及机械地耦合到所述至少一个感测区域的至少一个柱。

【技术特征摘要】
2012.01.25 US 13/3583161.一种传感器器件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有对于机械载荷敏感的至少一个感测区域,至少一个感测区域位于与半导体芯片的上表面相邻的半导体芯片的块状部分中，其中具有沟道区域的晶体管嵌入在所述至少一个感测区域中；以及牢固地固定到所述至少一个感测区域处的半导体芯片的块状部分的至少一个柱，该至少一个柱被布置在半导体芯片的上表面上直接在所述至少一个感测区域之上，其中该至少一个柱具有5和40之间的高宽比例，并且其中该至少一个柱被配置成将该至少一个柱的强制侧向偏转生成的外部应力引入到晶体管的沟道区域中。2.根据权利要求1所述的传感器器件，还包括：嵌入在所述至少一个感测区域中的第一晶体管；以及嵌入在所述至少一个感测区域中的第二晶体管，所述第一和所述第二晶体管具有不同的取向。3.根据权利要求1所述的传感器器件，其中，所述半导体芯片包括位于所述至少一个感测区域中的感测单元的阵列。4.根据权利要求3所述的传感器器件，其中，所述感测单元的阵列中的每个感测单元包括集成电路。5.根据权利要求1所述的传感器器件，其中，晶体管是CMOS晶体管，所述CMOS晶体管具有被配置成随着所述机械载荷而变化的沟道维度。6.根据权利要求1所述的传感器器件，其中，所述至少一个柱包括电介质材料。7.根据权利要求6所述的传感器器件，其中，所述至少一个柱包括光致抗蚀剂。8.根据权利要求1所述的传感器器件，其中，所述至少一个柱包括金属材料。9.根据权利要求1所述的传感器器件，还包括嵌入所述至少一个柱的主体。10.根据权利要求1所述的传感器器件，还包括机械地耦合到所述至少一个柱的末端的结构元件，所述末端远离所述至少一个感测区域。11.根据权利要求10所述的传感器器件，其中，所述结构元件包括朝向所述半导体芯片的第一表面，以及其中，至少一个接合元件被配置成机械地耦合到所述至少一个柱的所述末端。12.根据权利要求10所述的传感器器件，其中，所述结构元件被配置成相对于所述半导体芯片是可移动的。13.根据权利要求10所述的传感器器件，其中，所述结构元件被配置成固定到相对于所述半导体芯片的位置。14.根据权利要求1所述的传感器器件，其中，所述传感器器件包括力传感器、加速度传感器、流量速率传感器、或微粒计数器。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：K埃利安，FP卡尔茨，H托伊斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：