基准电压生成电路制造技术

本实用新型专利技术的各实施方式涉及一种基准电压生成电路。具体地，所述电路例如可以包括：镜像恒流源，其具有第一支路和第二支路，其中所述第一支路上的第一电流与所述第二支路上的第二电流成比例；其中所述第一支路上具有第一电阻性元件，并且所述第二支路上具有串联的两个第二电阻性元件；以及供电端子，其位于所述第二支路上的所述两个第二电阻性元件之间。通过使用本实用新型专利技术的各实施方式提供的电路能够在供电端子处提供相对于电压源的高精确度基准电压。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

Reference voltage generating circuit

The utility model relates to a reference voltage generating circuit. Specifically, the circuit can include for example: Mirror constant current source, having a first branch and a second branch, second of which the first current current of the first branch and the second branch of the proportion; wherein the first branch has a first resistive element, has two series and second resistive element and the second branch; and the power supply terminals, which is located in the second branch of the two resistive element between second. The circuit provided by the various embodiments of the utility model can provide high precision reference voltage with respect to the voltage source at the power supply terminal.

【技术实现步骤摘要】

本技术的各实施方式总体上涉及电路领域，并且更具体地，本技术的各实施方式涉及一种基准电压生成电路。
技术介绍
随着半导体技术的飞速发展，各种集成电路(IC)在工业生产以及人们的日常生活中得到了普遍应用。但在IC(尤其是高电压IC)中，经常需要生成相对于电压源的高精确度基准电压。为了生成该高精确度基准电压，目前业界的传统基准电压生成电路是通过串联电阻器来实现。然而，由于电路中电流以及电阻器的值在不同的工艺角以及温度下会发生变化，因此很难生成高精确度基准电压。
技术实现思路
为了解决上述问题，在本上下文中，本技术各实施方式的目的之一在于提供一种基准电压生成电路。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:镜像恒流源，其具有第一支路和第二支路，其中所述第一支路上的第一电流与所述第二支路上的第二电流成比例；其中所述第一支路上具有第一电阻性元件，并且所述第二支路上具有串联的两个第二电阻性元件；以及供电端子，其位于所述第二支路上的所述两个第二电阻性元件之间。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:其中所述第一支路上的所述第一电流与所述第二支路上的所述第二电流的比例为M: N，其中M和N是大于或等于I的整数。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:其中所述第一支路上具有第一 NPN型双极晶体管，所述第二支路上具有第二 NPN型双极晶体管，并且所述第一 NPN型双极晶体管与所述第二 NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中基极与发射极之间的电压为Vbe ;其中所述第一 NPN型双极晶体管的基极与所述第二 NPN型双极晶体管的基极连接并且与其自身的集电极连接；所述第一 NPN型双极晶体管的发射极与所述第二 NPN型双极晶体管的发射极连接；所述第一 NPN型双极晶体管的集电极通过所述第一电阻性元件与高精确度基准电压VR连接；以及所述第二NPN型双极晶体管的集电极通过所述两个第二电阻性元件与电压源Vddh连接。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:其中所述两个第二电阻性元件与所述电压源Vddh之间包括以下至少一种:第三NPN型双极晶体管与所述第一 NPN型双极晶体管或所述第二 NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中基极与发射极之间的电压为Vbe，并且其基极与集电极与所述电压源Vddh连接，其发射极与所述两个第二电阻性元件连接；以及二极管与所述第一 NPN型双极晶体管或所述第二 NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中正极与负极之间的电压为Vd，并且其正极与所述电压源Vddh连接，其负极与所述两个第二电阻性元件连接。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:其中所述第一支路上具有第一 N型MOS管，所述第二支路上具有第二 N型MOS管，并且所述第一 N型MOS管与所述第二 N型MOS管是相互匹配的，其中栅极与源极之间的电压为Vgs ;其中所述第一 N型MOS管的栅极与所述第二 N型MOS管的栅极连接并且与其自身的漏极连接；所述第一 N型MOS管的源极与所述第二 N型MOS管的源极连接；所述第一 N型MOS管的漏极通过所述第一电阻性元件与高精确度基准电压Vk连接；以及所述第二N型MOS管的漏极通过所述两个第二电阻性元件与电压源Vddh连接。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:其中所述两个第二电阻性元件与所述电压源Vddh之间包括以下至少一种:P型MOS管与所述第一 N型MOS管或所述第二 N型MOS管是相互匹配的，其中栅极与源极之间的电压为Vgs，并且其源极与所述电压源Vddh连接，其栅极与漏极与所述两个第二电阻性元件连接；以及二极管与所述第一 N型MOS管或所述第二 N型MOS管是相互匹配的，其中正极与负极之间的电压为Vd，并且其正极与所述电压源Vddh连接，其负极与所述两个第二电阻性元件连接。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:进一步包括通过调节所述第二支路上的所述两个第二电阻性元件分别与所述第一支路上的所述第一电阻性元件的比率，在所述供电端子处生成期望的相对于电压源Vddh的基准电压Vkef。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:其中所述调节包括:调节所述第二支路上所述电压源Vddh与所述基准电压之间的第二电阻性元件与所述第一支路上的所述第一电阻性元件的比率，使之等于所述Vddh与所述Vkef和Vd/Vbe/Vgs的差同Vr与vd/vbyvgs的差的比率；以及调节所述第二支路上的另一第二电阻性元件与所述第一支路上的所述第一电阻性元件的比率，使之等于所述Vkef与Vd/Vbe/Vgs的差同Vk与Vd/Vbe/Vgs的差的比率。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:其中所述基准电压生成电路位于集成电路相同区域的基底上。根据本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种基准电压生成电路，该电路例如可以包括:其中所述电阻性元件是电阻器。本技术一个方面的某些实施方式，提供了一种集成电路，该集成电路例如可以包括:其具有上文所述的基准电压生成电路。本技术示例性实施方式提供的示例性解决方案至少可以带来如下显著的技术效果:通过镜像恒流源产生两条电流相等或成比例的支路，随后通过调节第二支路上与第一支路上电阻的比率，从而可以在供电端子处得到高精确度基准电压，并且该高精确度基准电压可以是所需或期望的任意值。这对于高电压IC而言非常重要并且在实际应用中具有灵活性。附图说明通过基准附图阅读下文的详细描述，本技术示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本技术的若干实施方式，其中:图1示意性示出了根据现有技术的基准电压生成电路；图2示意性示出了根据本技术示例性实施方式的基准电压生成电路；图3示意性示出了根据本技术示例性实施方式的另一基准电压生成电路；图4示意性示出了根据本技术示例性实施方式的又一基准电压生成电路；以及图5示意性示出了根据本技术示例性实施方式的又一基准电压生成电路。在附图中，相同或对应的标号表不相同或对应的部分。具体实施方式本文将基准若干示例性实施方式来描述本技术的原理和精神。应当理解，给出这些实施方式仅仅是为了使本领域技术人员能够更好地理解进而实现本技术，而并非以任何方式限制本技术的范围。以下结合附图对本技术的具体实施方式进行描述。图1示意性示出了根据现有技术的基准电压生成电路。如图1所示，该电路中串联有电阻器R，根据欧姆定律可以得到:Vddh-Vref — Ib*R其中IbS电流，R为电阻。然而，由于电路中电流以及电阻器的值在不同的工艺角以及温度下会发生变化(即，Ib与R的值是粗糙的)，因此在供电端子处生成的Vddh-Vkef为低精确度基准电压。为了消除电路中电流以及电阻器的值在不同的工艺角以及温度下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基准电压生成电路，其特征在于包括：镜像恒流源，其具有第一支路和第二支路，其中所述第一支路上的第一电流与所述第二支路上的第二电流成比例；其中所述第一支路上具有第一电阻性元件，并且所述第二支路上具有串联的两个第二电阻性元件；以及供电端子，其位于所述第二支路上的所述两个第二电阻性元件之间。

【技术特征摘要】
1.一种基准电压生成电路，其特征在于包括: 镜像恒流源，其具有第一支路和第二支路，其中所述第一支路上的第一电流与所述第二支路上的第二电流成比例； 其中所述第一支路上具有第一电阻性元件，并且所述第二支路上具有串联的两个第二电阻性元件；以及 供电端子，其位于所述第二支路上的所述两个第二电阻性元件之间。2.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于所述第一支路上的所述第一电流与所述第二支路上的所述第二电流的比例为M: N，其中M和N是大于或等于I的整数。3.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于所述第一支路上具有第一NPN型双极晶体管，所述第二支路上具有第二 NPN型双极晶体管，并且所述第一 NPN型双极晶体管与所述第二 NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中基极与发射极之间的电压为Vbe ； 其中所述第一 NPN型双极晶体管的基极与所述第二 NPN型双极晶体管的基极连接并且与其自身的集电极连接； 所述第一 NPN型双极晶体管的发射极与所述第二 NPN型双极晶体管的发射极连接； 所述第一 NPN型双极晶体管的集电极通过所述第一电阻性元件与高精确度基准电压Vk连接；以及 所述第二 NPN型双极晶体管的集电极通过所述两个第二电阻性元件与电压源Vddh连接 。4.根据权利要求3所述的基准电压生成电路，其特征在于所述两个第二电阻性元件与所述电压源Vddh之间包括以下至少一种: 第三NPN型双极晶体管与所述第一 NPN型双极晶体管或所述第二 NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中基极与发射极之间的电压为Vbe，并且其基极与集电极与所述电压源Vddh连接，其发射极与所述两个第二电阻性元件连接；以及 二极管与所述第一 NPN型双极晶体管或所述第二 NPN型双极晶体管是相互匹配的，其中正极与负极之间的电压为Vd，并且其正极与所述电压源Vddh连接，其负极与所述两个第二电阻性元件连接。5.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于所述第一支路上具有第一N型MOS管，所述第二支路上具有第二 N型MOS管，并且所述第一 N型MOS管与所述第二 N型MOS管是...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄维海，王洪来，
申请(专利权)人：艾尔瓦特集成电路科技天津有限公司，
类型：实用新型
国别省市：