【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及带隙基准电压电路，尤其是一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路，属于双极型晶体管(BJT)以及金属氧化物半导体(MOS)晶体管集成电路
技术介绍
现有技术中存在一种如附图说明图1所示的传统带隙基准电压电路，包括PNP三极管Ql和Q2，PMOS管Ml、M2和M3，运算放大器0P,电阻R1' R2、R3、R4 ；Q1和Q2的基极和集电极接地，Ql的发射极通过电阻R2与运算放大器OP的同相输入端及PMOS管Ml的漏极相连并记为节点A，电阻R1跨接在节点A与地之间，Q2的发射极与运算放大器OP的反相输入端及PMOS管M2的漏极相连并记为节点B，电阻R3跨接在节点B与地之间，运算放大器OP的输出端与PMOS管Ml、M2和M3的栅极连接，PMOS管M3的漏极记为节点C并通过电阻R4接地，PMOS管Ml、M2和M3的源极和衬底接电源电压VDD，节点C输出基准电压VMf。图1所示的带隙基准电路的工作原理如下:宽长比相同的PMOS管Ml，M2和M3构成等比例电流镜，即I1=I2=Iy三极管Q2的基极-发射极电压为:权利要求1.一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路，基于传统带隙基准电压电路，设有PNP三极管Ql和Q2，PMOS管Ml、M2和M3，运算放大器0P，电阻R1' R2、R3、R4 ；PNP三极管Ql和Q2的基极和集电极均接地，PNP三极管Ql的发射极通过电阻R2与运算放大器OP的同相输入端以及PMOS管Ml的漏极、电阻R1的一端连接，电阻R1另一端接地，PNP三极管Q2的发射极与运算放大器OP的反相输入端以及PMOS管M2的漏极、电阻R3...
【技术保护点】
一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路，基于传统带隙基准电压电路，设有PNP三极管Q1和Q2，PMOS管M1、M2和M3，运算放大器OP，电阻R1、R2、R3、R4；PNP三极管Q1和Q2的基极和集电极均接地，PNP三极管Q1的发射极通过电阻R2与运算放大器OP的同相输入端以及PMOS管M1的漏极、电阻R1的一端连接，电阻R1另一端接地，PNP三极管Q2的发射极与运算放大器OP的反相输入端以及PMOS管M2的漏极、电阻R3的一端连接，电阻R3另一端接地，运算放大器OP的输出端与PMOS管M1、M2和M3的栅极连接，PMOS管M3的漏极通过电阻R4接地，PMOS管M1、M2和M3的源极和衬底均连接电源电压VDD，PMOS管M3的漏极输出基准电压Vref；其特征在于：将上述传统的带隙基准电压电路加以改进，去掉电阻R1、R3，在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：祝靖，张学永，张允武，宋慧滨，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：
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