CMOS延迟电路以及抑制CMOS延迟电路温漂的方法技术

本发明专利技术的各实施方式提供了一种CMOS延迟电路以及抑制CMOS延迟电路温漂的方法。通过在任意两个相邻且串联的CMOS反相器之间加入延迟单元，可以有效地将CMOS延迟电路的温漂控制在理想范围之内，从而满足实际电路设计中可能存在的对温漂的高精度要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CMOS延迟电路，包括：延迟单元，配置在至少两个串联的CMOS反相器之间，所述延迟单元的温度延迟特性与所述CMOS反相器的温度延迟特性相反。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹玉峰，
申请(专利权)人：艾尔瓦特集成电路科技天津有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12