反应腔室制造技术

本发明专利技术涉及一种反应腔室，所述反应腔室包括反应室；托盘，设置于所述反应室内；喷淋头，设置于所述反应室内，并位于所述托盘的上方；所述喷淋头与所述托盘上表面之间的距离为15mm～100mm，所述喷淋头向所述托盘喷射反应气体以在所述喷淋头与所述托盘上表面之间形成气流，在所述气流周围设置气流调整部件。所述反应腔室增加了所述喷淋头与所述托盘上表面之间的距离，避免反应气体在所述喷淋头表面结合而形成颗粒物质，从而提高反应腔室内工艺反应良率；并且所述气流调整部件可以控制所述气流以垂直或倾斜方向为所述托盘供气，使所述喷淋头与所述托盘上表面之间的气流分布均匀，提高反应气体的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体沉积设备，特别是涉及一种反应腔室。
技术介绍
化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术广泛用于制备各种半导体薄膜器件，包括微电子芯片、发光二极管(LED)、太阳光伏电池等。化学气相淀积的基本过程是，将源气体从气源引入反应器，气体粒子通过输运(对流和扩散)到达衬底表面，在高温衬底上由于热激发而发生化学反应，从而在晶片上沉积单晶或多晶薄膜。现有技术的化学气相淀积的反应腔室的结构如图1所示，反应腔室100包括反应室110，用于放置衬底的托盘130，所述托盘130设置于所述反应室110内，喷淋头120设置于所述托盘130的上方，用于向所述托盘130提供反应气体，所述喷淋头120与所述托盘130上表面之间的距离H不超过11mm。但是，现有技术的反应腔室100内的工艺的良率不佳，有待提闻。因此，如何提供一种反应腔室，以提高化学气相淀积工艺的良率，已成为本领域技术人员需要解决的技术难题。
技术实现思路
现有技术的反应腔室存在反应腔室内的工艺良率不佳的问题，本专利技术提供一种能解决上述问题的反应腔室 。本专利技术提供一种反应腔室，包括:反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应腔室，其特征在于：包括：反应室；托盘，设置于所述反应室内，所述托盘的上表面用于放置衬底；喷淋头，设置于所述反应室内，并位于所述托盘的上方；所述喷淋头与所述托盘上表面之间的距离为15mm～100mm，所述喷淋头向所述托盘喷射反应气体以在所述喷淋头与所述托盘上表面之间形成气流，在所述气流周围设置气流调整部件，以控制所述气流为所述托盘供气。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于:包括: 反应室； 托盘，设置于所述反应室内，所述托盘的上表面用于放置衬底； 喷淋头，设置于所述反应室内，并位于所述托盘的上方； 所述喷淋头与所述托盘上表面之间的距离为15mm 100mm，所述喷淋头向所述托盘喷射反应气体以在所述喷淋头与所述托盘上表面之间形成气流，在所述气流周围设置气流调整部件，以控制所述气流为所述托盘供气。2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于:所述气流调整部件用于控制所述气流以垂直方向为所述托盘供气。3.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于:所述气流调整部件为喷气部件，所述喷气部件位于所述喷淋头的外围，所述喷气部件喷射气体，以在所述喷淋头与所述托盘之间的气流外围形成气幕环。4.如权利要求3所述的反应腔室，其特征在于:所述喷气部件喷射的气体为反应气体。5.如权利要求3所述的反应腔室，其特征在于:所述喷气部件喷射的气体为非反应气体。6.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于:所述气流调整部件为上挡板，所述上挡板围绕设置在所述喷淋头的外围，所述上挡板的底部低于所述喷淋头的下表面。7.如权利要求6所述的反应腔室，其特征在于:所述上挡板的底部低于所述喷淋头的下表...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏育家，
申请(专利权)人：光垒光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：