沉积设备以及旋转装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及沉积设备，该沉积设备包括反应腔，所述反应腔内具有用于带动衬底旋转的旋转台；旋转装置，用于带动所述旋转台转动，所述旋转装置包括：支撑座、筒状外壳以及旋转支撑轴，所述筒状外壳一端连接所述支承座上，另一端连接所述反应腔，所述旋转支撑轴套设在所述筒状外壳内，所述旋转支撑轴的一端伸入到所述反应腔中，并给予所述反应腔中的所述旋转台固定连接，所述旋转支撑轴用以带动所述旋转台转动，所述旋转支撑轴的另一端通过轴向轴承连接于所述支撑座上。本发明专利技术还提供一种旋转装置。本发明专利技术的所述旋转支撑轴仅通过一轴向轴承连接在所述支撑座上，可以使得调节所述旋转台的水平方便、快捷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备
，特别是涉及一种沉积设备以及旋转装置。
技术介绍
微芯片加工是一个平面加工的过程，这一过程包含在衬底表面生长不同膜层的步骤，一般的，通过沉积工艺在衬底表面生长薄膜。在衬底表面沉积薄膜有多种技术，主要可以分为化学工艺和物理工艺。其中，化学工艺主要包括化学气相沉积(CVD)和电镀等，物理工艺主要包括物理气相沉积(PVD)、溅射等。下面以化学气相沉积为例对沉积设备的基本结构进行说明。具体地，请参考图1所示的现有的化学气相沉积设备的结构示意图。化学气相沉积设备10包括反应腔11以及设置于所述反应腔11下方的旋转装置12，一般所述旋转装置12位于所述反应腔11的下侧(背离所述反应腔11进气面的一侧)。所述反应腔11内形成有相对设置的喷淋头111和旋转台112 (如在图1中，所述喷淋头111和所述旋转台112在Y轴方向相对设置)。所述喷淋头111所在的一侧为所述反应腔11的上侧，所述喷淋头111内可以设置多个通孔以提供反应气体。所述旋转台112用于设置衬底支承座，或将所述 衬底直接设置在所述转台112的正面(即所述旋转台112的朝向所述喷淋头111 一侧的表面)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积设备，所述沉积设备包括：反应腔，所述反应腔内具有用于带动衬底旋转的旋转台；旋转装置，用于带动所述旋转台转动，所述旋转装置包括：支撑座；筒状外壳，其一端连接所述支承座上，另一端连接所述反应腔；以及旋转支撑轴，其套设在所述筒状外壳内，所述旋转支撑轴的一端伸入到所述反应腔中，并给予所述反应腔中的所述旋转台固定连接，所述旋转支撑轴用以带动所述旋转台转动，其特征在于：所述旋转支撑轴的另一端通过轴向轴承连接于所述支撑座上。

【技术特征摘要】
1.一种沉积设备，所述沉积设备包括: 反应腔，所述反应腔内具有用于带动衬底旋转的旋转台；旋转装置，用于带动所述旋转台转动，所述旋转装置包括: 支撑座； 筒状外壳，其一端连接所述支承座上，另一端连接所述反应腔；以及 旋转支撑轴，其套设在所述筒状外壳内，所述旋转支撑轴的一端伸入到所述反应腔中，并给予所述反应腔中的所述旋转台固定连接，所述旋转支撑轴用以带动所述旋转台转动，其特征在于: 所述旋转支撑轴的另一端通过轴向轴承连接于所述支撑座上。2.如权利要求1所述的沉积设备，其特征在于:所述旋转装置进一步包括旋转驱动机构，所述旋转驱动机构驱动所述旋转支撑轴转动。3.如权利要求2所述的沉积设备，其特征在于:所述旋转驱动机构位于所述筒状外壳内。4.如权利要求3所述的沉积设备，其特征在于:所述筒状外壳与所述支撑座之间为密封连接，且所述筒状外壳与所述反应腔之间为密封连接。5.如权利要求4所述的沉积设备，其特征在于:所述筒状外壳与所述支撑座之间通过波纹管连接，或/和所述筒状外壳与所述反应腔之间通过波纹管连接。6.如权利要求1所述的沉积设备，其特征在于:所述筒状外壳为波纹管。7.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄允文，杨德赞，
申请(专利权)人：光垒光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：