用于外延沉积III-V材料层的反应腔制造技术

技术编号:9474090 阅读:146 留言:0更新日期:2013-12-19 05:36
本实用新型专利技术涉及半导体制作技术设备,用于外延沉积III-V材料层的反应腔,包括:腔体;设置于所述腔体底部的加热器;设置于所述加热器上方的衬底托盘;以及设置于所述腔体顶部的喷淋头,所述反应腔还包括位移装置,以及设置于所述喷淋头与所述衬底托盘之间的吸热板;所述位移装置用于调整所述吸热板与喷淋头之间的距离以控制所述吸热板面向所述加热器一侧表面的温度,所述喷淋头向所述吸热板与所述衬底托盘之间所限定的反应区输出反应气体。本实用新型专利技术使喷淋头与吸热板之间的距离可调,使得反应气体的出气面温度可控。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于外延沉积III?V材料层的反应腔,所述反应腔包括:腔体;设置于所述腔体底部的加热器;设置于所述加热器上方的衬底托盘;以及设置于所述腔体顶部的喷淋头,其特征在于,所述反应腔还包括位移装置,以及设置于所述喷淋头与所述衬底托盘之间的吸热板;所述位移装置用于调整所述吸热板与喷淋头之间的距离以控制所述吸热板面向所述加热器一侧表面的温度,所述喷淋头向所述吸热板与所述衬底托盘之间所限定的反应区输出反应气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄允文
申请(专利权)人:光垒光电科技上海有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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