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本实用新型涉及半导体制作技术设备，用于外延沉积III-V材料层的反应腔，包括：腔体；设置于所述腔体底部的加热器；设置于所述加热器上方的衬底托盘；以及设置于所述腔体顶部的喷淋头，所述反应腔还包括位移装置，以及设置于所述喷淋头与所述衬底托盘之间...
该专利属于光垒光电科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过光垒光电科技（上海）有限公司授权不得商用。

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