【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压化学气相沉积)系统领域,尤其涉及一种LPCVD系统排风结构。
技术介绍
目前市场上的高压半导体分立器件均通过LPCVD系统在晶片表面形成一层表面钝化薄膜来进行保护。LPCVD系统在运行过程中使用的气体,在其反应室内不可能完全反应,排风管道在将剩余气体排出的时候会进行二次的反应,而反应后的粉尘会沉淀在排风管道上,使排风管道口越来越小,最后导致堵塞,此时,气体因不能及时排出,就会有爆炸的可能,危险性极大的。
技术实现思路
基于此,针对上述技术问题,提供一种LPCVD系统排风结构。为解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案:一种LPCVD系统排风结构,包括尾气管道、杯形体以及排风管道,所述尾气管道的侧面设有气体入口,且所述尾气管道的一端设有氮气输入接头,所述杯形体的底部可拆卸的套设于所述尾气管道的另一端,所述排风管道的一端插设于所述杯形体的杯腔内,所述排风管道与所述杯形体的内壁以及底部均具有间隙,且所述排风管道经所述杯腔与所述尾气管道连通。本方案还包括用于将所述尾气管道固定至相应机架的连接件,所述连接件套设于所述尾气管道外。所述气体入口为多个。所述气体入口设有法兰接头。本专利技术结构简单、制造方便,在LPCVD系统反应室内未完全反应的剩余气体可由氮气稀释后,在燃烧室内与空气进行二次反应,二次反应生成的粉尘沉淀留在燃烧室内,而构成燃烧室的杯形体可拆卸后进行清理,既保证了排风管道不被堵塞,同时也避免了剩余气体积累而导致自爆,安全性高。附图说明下面结合附图和具 ...
【技术保护点】
一种LPCVD系统排风结构,其特征在于,包括尾气管道、杯形体以及排风管道,所述尾气管道的侧面设有气体入口,且所述尾气管道的一端设有氮气输入接头,所述杯形体的底部可拆卸的套设于所述尾气管道的另一端,所述排风管道的一端插设于所述杯形体的杯腔内,所述排风管道与所述杯形体的内壁以及底部均具有间隙,且所述排风管道经所述杯腔与所述尾气管道连通。
【技术特征摘要】
1.一种LPCVD系统排风结构,其特征在于,包括尾气管道、杯形体以及排风管道,所述尾气管道的侧面设有气体入口,且所述尾气管道的一端设有氮气输入接头,所述杯形体的底部可拆卸的套设于所述尾气管道的另一端,所述排风管道的一端插设于所述杯形体的杯腔内,所述排风管道与所述杯形体的内壁以及底部均具有间隙,且所述排风管道经所述杯腔与所述尾气管道...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁波,陈瀚,侯金松,程国军,
申请(专利权)人:上海微世半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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