一种用于晶圆切割的吸片盘制造技术

本技术公开了一种用于晶圆切割的吸片盘，包括吸片盘主体和安装座。其中，吸片盘主体的顶端边缘环设有弧形凸台，弧形凸台的内圈设有若干圆柱台，弧形凸台与若干圆柱台之间围合成避让悬空区；圆柱台上竖直开设有晶圆吸附气道，晶圆吸附气道的底端与开设在安装座侧壁的吸片气流通道相连通；吸片盘主体底端开设有若干安装孔，安装孔与安装座通过定位销可拆卸连接。本技术通过安装孔与定位销之间的配合实现吸片盘主体与安装座之间的装配，安装简单、快捷；通过避让悬空区与若干圆柱台使晶圆局部在激光加工过程中处于悬空状态，从而避免硅材质熔融后与吸片盘主体粘结，且圆柱台对晶圆进行有效支撑，防止晶圆发生局部塌陷。

【技术实现步骤摘要】

本实用型新型涉及激光紧密加工辅助设备，尤其涉及一种用于晶圆切割的吸片盘。

技术介绍

1、激光晶圆切割设备是一种用于晶圆硅片、二极管晶圆、可控硅晶圆制造过程中的激光切割专用设备，用激光在晶圆硅片上切割成单个大小的芯片，激光晶圆切割是半导体晶圆制造工艺当中的一个不可或缺的工序。

2、在半导体制造精密加工晶圆切割中，使用晶圆切割吸片盘对晶圆进行切割，切割完成后，要求更换不同规格晶圆芯片产品，可以做到快速更换，以保证晶圆切割吸片盘处于同样的位置，保证切割一致性。现有技术是采用螺丝对晶圆切割吸片盘进行固定，以保证两个零件处于同心圆的位置，耗时较长，对整个产品规格更换工序的效率造成了较大影响。

3、此外，在现有技术中，专利号为cn215145831u，名称为一种用于激光晶圆切割或打孔机的吸片盘。该吸片盘仅支撑晶圆的边缘，如加工规格较大的晶圆，晶圆的中部可能受自身重力影响发生塌陷，进而无法保证晶圆的加工质量。

4、所以非常有必要研发一种用于晶圆切割的吸片盘，进而简化吸片盘的安装固定，防止晶圆的中部受自身重力影响发生塌陷。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种用于晶圆切割的吸片盘，解决现有技术中采用螺丝对晶圆切割吸片盘进行固定的方法耗时较长、效率较低，晶圆的中部无支撑，受自身重力影响发生塌陷的问题。

2、本技术的目的可以通过以下技术方案实现：

3、一种用于晶圆切割的吸片盘，包括吸片盘主体和安装在所述吸片盘主体的安装座，其中：

4、所述吸片盘主体的顶端边缘环设有弧形凸台，所述弧形凸台的内圈竖直间隔设有若干顶部齐平的圆柱台，所述弧形凸台与若干所述圆柱台之间围合成避让悬空区；

5、所述圆柱台位于所述吸片盘主体的顶端且其顶部低于所述弧形凸台顶部，所述圆柱台上竖直开设有晶圆吸附气道，所述晶圆吸附气道的底端与开设在所述安装座侧壁的吸片气流通道相连通；

6、所述吸片盘主体的底端开设有若干安装孔，所述安装孔位于所述弧形凸台的外侧，所述安装孔与所述安装座通过定位销可拆卸连接。

7、作为本技术进一步的方案：所述弧形凸台的顶端内侧开设有定位槽，所述定位槽的底部与所述圆柱台的顶部齐平。

8、作为本技术进一步的方案：所述弧形凸台上开设有若干与所述避让悬空区相连通的晶圆夹持开口。

9、作为本技术进一步的方案：所述圆柱台呈环形阵列设置。

10、作为本技术进一步的方案：所述晶圆吸附气道包括但不限于晶圆吸附孔、同心环槽。

11、作为本技术进一步的方案：所述晶圆吸附气道为晶圆吸附孔，每一所述圆柱台上设有若干所述晶圆吸附气道。

12、作为本技术进一步的方案：所述吸片盘主体的底端设有抵接凸台，所述抵接凸台的底部位于所述安装孔的下方，且与所述安装座的顶部抵接；

13、所述抵接凸台的内圈设有真空腔，若干所述晶圆吸附气道均与所述真空腔相连通；

14、所述安装座的中上部竖直设有吸附气流通道，所述吸附气流通道的上下两端分别与所述真空腔、所述吸片气流通道相连通。

15、作为本技术进一步的方案：所述安装孔内装配有定位销套，所述定位销套与所述定位销可拆卸连接。

16、作为本技术进一步的方案：所述吸片盘主体的两侧安装有把手。

17、本技术的有益效果，通过安装孔与定位销之间的配合实现吸片盘主体与安装座之间的装配，安装简单、快捷；通过避让悬空区与若干圆柱台使晶圆局部在激光加工过程中处于悬空状态，从而避免硅材质熔融后与吸片盘主体粘结，且圆柱台对晶圆的中部进行有效支撑，防止晶圆发生局部塌陷。

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【技术保护点】

1.一种用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，包括吸片盘主体(1)和安装在所述吸片盘主体(1)的安装座(2)，其中：

2.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述弧形凸台(11)的顶端内侧开设有定位槽(111)，所述定位槽(111)的底部与所述圆柱台(12)的顶部齐平。

3.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述弧形凸台(11)上开设有若干与所述避让悬空区(14)相连通的晶圆夹持开口(112)。

4.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述圆柱台(12)呈环形阵列设置。

5.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述晶圆吸附气道(121)包括但不限于晶圆吸附孔、同心环槽。

6.根据权利要求5所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述晶圆吸附气道(121)为晶圆吸附孔，每一所述圆柱台(12)上设有若干所述晶圆吸附气道(121)。

7.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述吸片盘主体(1)的底端设有抵接凸台(13)，所述抵接凸台(13)的底部位于所述安装孔(15)的下方，且与所述安装座(2)的顶部抵接；

8.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述安装孔(15)内装配有定位销套(151)，所述定位销套(151)与所述定位销(21)可拆卸连接。

9.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述吸片盘主体(1)的两侧安装有把手(16)。

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【技术特征摘要】

1.一种用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，包括吸片盘主体(1)和安装在所述吸片盘主体(1)的安装座(2)，其中：

2.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述弧形凸台(11)的顶端内侧开设有定位槽(111)，所述定位槽(111)的底部与所述圆柱台(12)的顶部齐平。

3.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述弧形凸台(11)上开设有若干与所述避让悬空区(14)相连通的晶圆夹持开口(112)。

4.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述圆柱台(12)呈环形阵列设置。

5.根据权利要求1所述的用于晶圆切割的吸片盘，其特征在于，所述晶圆吸附气道(121)包括但不限于晶圆吸附孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁波，李轶，陈瀚，侯金松，杭海燕，谷卫东，
申请(专利权)人：上海微世半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：