【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种耐高压芯片的制备方法及耐高压芯片。
技术介绍
1、在当今半导体行业迅猛发展的背景下，整流芯片作为关键电子元件之一，其性能的提升对于满足日益增长的市场需求至关重要。目前，市面上大多数整流芯片的耐压特性集中在800-1600v这一区间。为了突破这一限制，行业内普遍采用在芯片表面沉积半绝缘多晶硅膜，并不断增加膜厚的方式，以将芯片的耐压特性提升至2000v以上(参见号公开号为cn113178388b的中国专利技术专利：耐高压芯片的制造方法和耐高压芯片)。然而，这种方式在提高耐压特性的同时，也带来了漏电增大的问题，参见表1，这无疑对芯片的稳定性和可靠性产生了负面影响。
2、表1示出了，对相同电阻率和厚度的基片，生成半绝缘多晶硅膜，分6个小组进行实验，测试得到的膜厚以及成品芯片的耐压特性和漏电特性。
3、
4、表1
5、随着科技的飞速进步，大功率用电器的应用场景愈发广泛，其对整流芯片的耐压要求也水涨船高。现有的制备方法在面对更高耐压需求时，显得力不从心，难以制造出既满...
【技术保护点】
1.一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，在对基片进行一次光刻前，还包括：
3.根据权利要求1所述的一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述基片上由下至上依次沉积形成半绝缘多晶硅膜和氮化硅膜，进一步包括：
4.根据权利要求3所述的一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，在进行SIPOS沉积前，还包括：
5.根据权利要求1所述的一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，所述采用具有所述半绝缘多晶硅膜和氮化硅膜的基片以制备得到耐高压芯片，进一步包括：p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，在对基片进行一次光刻前，还包括：
3.根据权利要求1所述的一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述基片上由下至上依次沉积形成半绝缘多晶硅膜和氮化硅膜，进一步包括：
4.根据权利要求3所述的一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，在进行sipos沉积前，还包括：
5.根据权利要求1所述的一种耐高压芯片的制备方法，其特征在于，所述采用具有所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁波，王超，陈瀚，侯金松，杭海燕，谷卫东，智朋，张伟，
申请(专利权)人：上海微世半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。