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本发明提供一种耐高压芯片的制备方法及耐高压芯片，其通过在半绝缘多晶硅膜上再生长厚度至少为6000埃米的氮化硅膜，成功突破了传统制备方法的耐压瓶颈，使芯片的耐压能力跃升至3000V及以上，氮化硅膜能够有效抑制漏电现象，显著提高了芯片的稳定性和...
该专利属于上海微世半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微世半导体有限公司授权不得商用。

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