一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，没有使用三维网络结构的模版，直接通过催化剂辅助的化学气相沉积方法首次在2D针刺碳毡的表面制备了自组装的三维HfC晶须网络结构，所制得的产物相比模版法引入的其他元素的杂质含量少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其是一种自组装三维碳化铪(HfC)晶须网络结构的制备方法。
技术介绍
HfC具有超高的熔点(3890° C)，是最难熔的超高温陶瓷之一；同时，它还具有高硬度(维氏硬度:26.lGPa)，高弹性模量(350 - 51OGPa)和良好的化学稳定性。由于这一系列的优异性能，其已被用作耐磨薄膜和在航空航天领域中的热防护涂层；此外，HfC晶须或纳米线还可作为超高温复合材料的增强体，同时由于其稳定和特殊的物理化学性质还可用作点电子源的场发射材料。因此，三维HfC晶须网络结构在超高温环境下微型功能器件中具有潜在的重要应用。一维材料由于其在微纳
的特殊应用已受到大量关注，例如:微米级的纤维或晶须、纳米级的纳米线或纳米管。一系列的材料如碳、碳化物、氧化物、半导体材料、金属等已被开发制备成一维线结构，它们特殊的物理性质使其在纳米电子和光电子领域获得重要应用。而且，微纳米级别功能性设备制备需要，由一维材料组装成的多维结构正逐渐展现出 其潜在的技术重要性。目前，已有研究者通过自催化化学气相沉积法在平整的基底上制备了二维的氧化物纳米线或纳米带网络结构，其可应用作为光电设备的微型功能器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：配制浓度为0.05～2mol/L的Ni(NO3)2或NiCl2的乙醇溶液；步骤2：将清洗干净的2D针刺碳毡放在步骤1配制的溶液中浸泡1～2h，然后取出2D针刺碳毡放在40～55℃的干燥箱内烘干；步骤3：将步骤2烘干的2D针刺碳毡放于管式电阻炉内的沉积模具中，抽真空至2kPa，通入惰性氩气作为保护气体；以5～10℃/min的升温速度将炉温升至1200～1400℃，然后通入H2、HfCl4和CH4气体，控制H2、HfCl4和CH4的分压分别为0.80～0.98，0.10～0.01，0.10～0.01；调节真空泵抽速，将CVD炉...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李贺军，田松，张雨雷，张守阳，强新发，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：