【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种反应腔，用于III?V族材料外延沉积的MOCVD工艺，所述反应腔包括位于所述反应腔顶部的喷淋头和位于所述反应腔底部且正对所述喷淋头的基座；其特征在于，所述喷淋头上加载电势后作为正极，所述反应腔中低于所述喷淋头的位置还设置有一负极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林翔，丁大鹏，
申请(专利权)人：光垒光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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