被动元件的结构制造技术

本发明专利技术提供一种被动元件的结构。此被动元件的结构至少包含被动元件本体、第一缓冲层与第一导电层堆叠于被动元件本体的第一表面上，而被动元件本体的第二表面上更可堆叠有第二缓冲层与第二导电层。其中，被动元件本体的材质为陶瓷。第一缓冲层与第二缓冲层的材质为镍铬合金或镍钒合金，其中镍铬合金含有98wt％至33wt％的镍及2wt％至67wt％的铬，而镍钒合金含有99wt％至87wt％的镍及1wt％至13wt％的钒。此外，第一导电层与第二导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种被动元件的结构，特别是有关于一种具有预设重量百分比的金属薄膜的被动元件的结构。
技术介绍
现今社会对于电子产品的依赖性日益提高，人们身边总是存在有电子产品，而电子产品内部更是具有电路。并且不论是简单电路，亦或是复杂电路，总是会包含基本的被动元件，例如电容于电路中可用以储存能量、更正功率因子以及作为滤波之元件。并且，现今的电子产品体积日渐缩小，然而所要求的特性却日益提高，因此人们要求被动元件必须具有小体积以及稳定性。举例而言，习知电容中，陶瓷电容因以介电系数较大的陶瓷作为二导体间之介电材质，因此可在小体积中具有相对较大的电容量。但习知陶瓷电容的电性并不甚理想，且被动元件的结构本身的附着效果亦不甚理想。
技术实现思路
鉴于习知技艺的各项问题，为了能够兼顾解决之，本专利技术人基于多年研究开发与诸多实务经验，提出一种被动元件的结构，以作为改善上述缺点之实现方式与依据。有鉴于上述习知技艺的问题，本专利技术目的就是在提供一种被动元件的结构，以解决习知被动元件的结构本身附着效果不佳的问题。为达上述目的，本专利技术提供一种被动元件的结构，至少包含:—被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质可为镍铬合金，该镍铬合金可含有约98wt%至约33wt%的镍以及约2wt%至约67wt%的铬；以及，至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。此外，本专利技术的被动元件的结构，更可包含:至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质可和第一缓冲层相同；以及，至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。其中，第一缓冲层与第二缓冲层可由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层可由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。其中，沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质可为镍铬合金，该镍铬合金可含有约98wt%至约33wt%的镍以及约2wt%至约67wt%的铬。另外，被动元件可为电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。除此之外，被动元件本体的材质可为陶瓷。本专利技术还提供了另一种被动元件的结构，至少包含:—被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质可为镍钒合金，该镍钒合金可含有约99wt%至约87wt%的镍以及约Iwt %至约13wt%的钒；以及，至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。此外，本专利技术的被动元件的结构，更可包含:至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质可和第一缓冲层相同；以及，至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。其中，第一缓冲层与第二缓冲层可由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面上和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层可由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。其中，沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质可为镍钒合金，该镍钒合金可含有约99wt%至约87wt%的镍以及约Iwt %至约13wt%的钒。另外，被动元件可为电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。除此之外，被动元件本体的材质是陶瓷。因此，本专利技术被动元件的结构特点在于，由预设的第一缓冲层与第二缓冲层材质的重量百分比，藉以提升被动元件的特性。本专利技术的另一特点在于，由沉积第一缓冲层与第二缓冲层所使用靶材材质的重量百分比，藉以增加第一缓冲层与第二缓冲层的附着效果，进而避免第一导电层与第二导电层脱落。附图说明图1为本专利技术被动元件的结构侧面示意图。图2为本专利技术被动元件的结构上视图。图3为用以形成本专利技术被动元件的结构的溅镀装置剖面示意图。图中:100:被动元件、120:被动元件本体、121:第一表面、122:第二表面、131 ■ 第一缓冲层、132:第二缓冲层、141:第一导电层、142:第二导电层、200:沉积装置、210:沉积室、220:靶材、230:磁石。具体实施例方式以下将参照附图，说明依本专利技术较佳实施例的被动元件的结构，为使便于理解，下述实施例中相同元件以相同符号标示来说明。本专利技术被动元件至少具有一表面，且此表面上可依序堆叠有缓冲层及导电层。此夕卜，本专利技术被动元件亦可于另一表面上依续堆叠有缓冲层及导电层。换句话说，本专利技术被动元件可于单面上依序堆叠缓冲层及导电层，亦或者，可于双面上均依序堆叠有缓冲层及导电层。为使便于理解，下述实施例中于被动元件之不同表面上之缓冲层及导电层具有不同之名称及符号。以双面上均依序堆叠有缓冲层及导电层为例，如图1、图2所示，该被动元件100结构至少包含被动元件本体120、第一缓冲层131、第一导电层141、第二缓冲层132以及第二导电层142。其中，被动元件100可例如为电容、突波吸收器、热敏电阻、压电陶瓷或其它被动兀件。另外，被动兀件本体120例如具有第一表面121与第二表面122,而第一缓冲层131与第一导电层141例如依序堆叠于被动元件本体120的第一表面121上，以及第二缓冲层132与第二导电层142例如依序堆叠于被动元件本体120的第二表面122上。除此之外，本专利技术被动元件100亦可仅于被动元件本体120之单面上依序堆叠有第一缓冲层131与第一导电层141。亦或者,本专利技术被动兀件100可仅于被动兀件本体120之单面上依序堆叠有第二缓冲层132与第二导电层142。另外，本专利技术被动元件100亦可于被动元件本体120之第一表面121上堆叠有第一缓冲层131与第一导电层141，且第二表面122上堆叠有第二缓冲层132与第二导电层142。此外，被动元件100的被动元件本体120的材质可例如为陶瓷。并且,被动元件100的结构中第一缓冲层131与第二缓冲层132的材质可例如为镍铬合金或镍钒合金。而此镍铬合金含有约98wt %至约33wt %的镍以及约2wt %至约67wt %的铬；此镍钒合金含有约99wt%至约87wt%的镍以及约lwt%至约13wt%的I凡。另外,本被动元件100之结构中第一导电层141与第二导电层142的材质可例如为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的任一种。其中，本专利技术被动元件100的结构的特点在于，由第一缓冲层131附着于被动元件本体120的第一表面121上，甚至更由第二缓冲层132附着于被动元件本体120的第二表面122上，并且利用第一缓冲层131、第二缓冲层132与第一导电层141、第二导电层142彼此间的相互附着力，以避免第一导电层141与第二导电层142脱落。另外，第一缓冲层131与第二缓冲层132例如由沉积法分别形成于被动元件本体120的第一表面121上与第二表面122上。且第一导电层141与第二导电层142亦例如由相同的沉积法分别形成于第一缓冲层131与第二缓冲层132上。其中，沉积法可例如为蒸镀、溅镀、离子镀或电弧镀法。详言之，以沉积法中的电浆溅镀法为例，同时参阅图3，此沉积法系由一沉积装置20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种被动元件的结构，其特征在于，包含：一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质为镍铬合金，该镍铬合金含有98wt％至33wt％的镍以及2wt％至67wt％的铬；以及，至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。

【技术特征摘要】
2011.12.15 TW 1001464481.一种被动元件的结构，其特征在于，包含: 一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面； 至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质为镍铬合金，该镍铬合金含有98wt%至33wt%的镍以及2wt%至67wt%的铬；以及， 至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。2.如权利要求1所述的被动元件的结构，其特征在于，更包含: 至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质和第一缓冲层相同；以及， 至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。3.如权利要求2所述的被动元件的结构，其特征在于，所述第一缓冲层与第二缓冲层由一沉积装置分别沉积于被动兀件本体的第一表面和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。4.如权利要求3所述的被动元件的结构，其特征在于，所述沉积装置至少具有一靶材，该革El材的材质是镍铬合金，该镍铬合金含有98 1:%至33 1:%的镍以及2 1:%至67 1:%的铬。5.如权利要求1所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件是电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。6.如权利要求1所述的被动元件的结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智渊，蔡硕文，黄耀贤，蔡俊毅，
申请(专利权)人：钜永真空科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：