一种具有埋入被动元件的基板，包括：具有第一导电电路的夹层电路板、介电层、第一电极、第二电极以及第二导电电路。其中，介电层设于夹层电路板上，具有第一凹洞与第二凹洞。第一电极设于第一凹洞中；第二电极设于第二凹洞中。该第一与第二电极以及位于第一电极与第二电极间的介电层共同形成一埋入被动元件。第二导电电路电性连接第一电极与第二电极。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装结构及其制造方法，特别是关于一种。
技术介绍
内埋电容元件结构是一种按照模块的电路特性与需求，采用多层线路板封装(Multiple Stacked Package；MSP)技术将电容以介电材料内埋在基板中的一种结构。实际应用时可以按照电路特性与需求，采用具有不同介电数以及电阻的基板材料应用于内埋电容、电阻或高频传输线等设计上。透过内埋元件基板技术的构装整合，来缩短电路布局并缩短讯号传输距离来提高整体元件的工作性能，从而取代传统离散式被动元件例如电容器、电阻以及电感等。其优点在于可减少离散式被动元件的使用数量，从而降低产品的相关制作与检测成本，减小基板厚度，减少元件的焊点数，并提高模块的电气高频响应以提高产品构装密度与可靠度。以内埋式电容元件为例，现有的内埋式电容元件主要有金属/绝缘体/金属(Mental-Insulator-Mental；MIM)电容与垂直指插电容(Vertically-Interdigitated-Capacitor；VIC)两种，其中金属/绝缘体/金属电容器是利用位于多层线路板100之间的上下两片金属平板101a和101b来构成的一种电容结构(参图1)。而垂直指插式电容器(参图2)则是由位于多层线路板200间的多层金属平板201a、201b、201c和201d互相交错叠置而成。为了改善内埋式电容元件的电容特性，这两种电容元件均需增加电容结构(金属平板以及多层线路板)的叠层数目，因此，不仅占据了有限的基板空间，而且还会使基板的厚度增加很多。
技术实现思路
因此，亟需一种创新的内埋式电容元件结构及其制造方法，可以在不增加基板厚度的情况下增强内埋式电容元件的电容特性，从而克服现有内埋电容元件为了增加电容特性而导致基板厚度大幅增加这一缺陷。本专利技术的目的之一在于提供一种具有埋入被动元件的基板，包括具有第一导电电路的夹层电路板、介电层、第一电极、第二电极以及第二导电电路。其中，介电层设于夹层电路板上，具有第一凹洞与第二凹洞。第一电极设于第一凹洞中；第二电极设于第二凹洞中。该第一与第二电极以及位于第一电极与第二电极间的介电层共同形成埋入被动元件。第二导电电路电性连接第一电极与第二电极。本专利技术的另一目的在于提供一种制造具有埋入被动元件的基板的方法，包括下列步骤首先，提供具有第一导电电路的一夹层电路板(interlayercircuit board)。然后，在夹层电路板上形成一介电层。之后，在介电层中形成第一凹洞与第二凹洞。然后，将导电材料填入介电层的第一凹洞与第二凹洞中，以分别形成第一电极与第二电极。该第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的介电层共同形成埋入被动元件。接着，在第一电极与第二电极上形成一第二导电电路。本专利技术的又一目的在于提供一种制造具有埋入被动元件的基板的方法，包括下列步骤首先，提供具有第一导电电路的一夹层电路板，再提供表面具有一介电层的一金属片。接着，将金属片层压在夹层电路板上，使得介电层与夹层电路板上的第一导电电路接触。随后在金属片与介电层中形成第一凹洞与第二凹洞。然后，将导电材料填入第一凹洞与第二凹洞，以形成第一电极与第二电极。该第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极间的介电层共同形成埋入被动元件。再在第一电极与第二电极上形成一第二导电电路。本专利技术的技术特征在于采用嵌设在介电层同一侧的两个电极、位于两电极之间的介电层，以及导通两电极的电路来共同构成一埋入被动元件。与现有技术相比，可减少基板的叠层数目，缩短电路布局，缩短讯号传输距离，并节省布线空间，具有不会使基板的厚度增加的优点，从而克服了现有内埋被动元件为了增加工作效能而必须大幅增加基板厚度这一缺陷。以下结合附图与实施例对本专利技术作进一步的说明。附图说明图1为现有的一种金属/绝缘体/金属电容的结构示意图。图2为现有的一种垂直指插式电容的结构示意图。图3为本专利技术一较佳实施例的一种内埋有埋入式电容元件的基板的纵向结构剖面图。图4A为本专利技术一较佳实施例的一种内埋有埋入式电容元件的基板的横向结构剖面图。图4B为本专利技术另一较佳实施例的一种内埋有埋入式电容元件的基板的横向结构剖面图。图5为本专利技术一较佳实施例的，制造如图3所示的具有埋入被动元件的基板的制造流程图。图6为本专利技术另一较佳实施例的，制造如图3所示的具有埋入被动元件的基板的制造流程图。具体实施例方式有关本专利技术的详细说明及
技术实现思路
，现就结合附图说明如下本专利技术的实施例在于提供一种具有埋入被动元件的基板。为让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，特举一内埋有埋入式电容元件30的基板300作为较佳实施例来加以说明。图3为本专利技术一较佳实施例的一种内埋有埋入式电容元件30的基板300的纵向结构剖面图。该基板300包括下压合层313、具有第一导电电路301的夹层电路板302、介电层304、第一电极306、第二电极308以及第二导电电路310。其中，夹层电路板302为一核心层(302)，位于下压合层313上。第一导电电路301形成在核心层(302)上。下压合层313为一介电层。另外，在本专利技术的一些较佳实施例中，还包括一第三导电电路303，形成在下压合层313与核心层(302)之间。第一导电电路301和第三导电电路303则分别为形成在核心层(302)上下两侧的图案化导电层。介电层304设在夹层电路板302上，具有第一凹洞304a与第二凹洞304b，并且第一凹洞304a与第二凹洞304b相距有一段距离。第一电极306设于第一凹洞304a中；第二电极308设于第二凹洞304b中。图4A为本专利技术一较佳实施例的一种内埋有埋入式电容元件的基板的横向结构剖面图。在本实施例中，图4A为沿着图3的切线S方向所作的横向剖面图。其中第一凹洞304a与第二凹洞304b为通过雷射钻孔法或曝光显影法所形成的沟槽或窄孔，该等沟槽或窄孔互相平行。导电材料则通过网板印刷法(screen printing)法或电镀法填入第一凹洞304a与第二凹洞304b中，从而形成由两个彼此平行的板状结构(platestructure)所构成的第一电极306和第二电极308。在本专利技术的另外一些实施例中，第一凹洞304a与第二凹洞304b分别为梳子状窄孔结构。参考图4B，图4B为本专利技术另一较佳实施例的一种内埋有埋入式电容元件的基板的横向结构剖面图。在本实施例中，第一凹洞304a与第二凹洞304b为通过雷射钻孔法或曝光显影法所形成的一种梳状沟槽结构，该等梳状沟槽结构彼此叉合(interdigitated)。导电材料则通过网板印刷法法或电镀法填入第一凹洞304a与第二凹洞304b中，从而分别形成由两个彼此叉合的薄板梳状结构(plate comb structure)所构成的第一电极306和第二电极308。请再参考图3，第一电极306与第二电极308则通过第二导电电路310电性导通至其它线路层；而第一电极306、第二电极308以及位于第一电极306与第二电极308间的介电层304三者共同形成一埋入式电容元件30。在本专利技术的较佳实施例中，第二导电电路310形成在介电层304上，具有一导通回路的图案化金属层，用以电性导通第一电极306和第二电极308至其它线路，并且可以与基板300外部的其它电子元件(本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造具有埋入被动元件的基板的制程，其特征在于包括下列步骤：提供一夹层电路板，所述夹层电路板具有一第一导电电路；在所述夹层电路板上形成一介电层；在所述介电层内形成一第一凹洞与一第二凹洞；在所述介电层的所述第 一凹洞与第二凹洞内填入一导电材料，以形成一第一电极与一第二电极，所述第一电极、所述第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的所述介电层共同构成所述埋入被动元件；以及在所述第一电极与所述第二电极上形成一第二导电电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王永辉，欧英德，洪志斌，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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