【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装结构及其制造方法,特别是关于一种。
技术介绍
内埋电容元件结构是一种按照模块的电路特性与需求,采用多层线路板封装(Multiple Stacked Package;MSP)技术将电容以介电材料内埋在基板中的一种结构。实际应用时可以按照电路特性与需求,采用具有不同介电数以及电阻的基板材料应用于内埋电容、电阻或高频传输线等设计上。透过内埋元件基板技术的构装整合,来缩短电路布局并缩短讯号传输距离来提高整体元件的工作性能,从而取代传统离散式被动元件例如电容器、电阻以及电感等。其优点在于可减少离散式被动元件的使用数量,从而降低产品的相关制作与检测成本,减小基板厚度,减少元件的焊点数,并提高模块的电气高频响应以提高产品构装密度与可靠度。以内埋式电容元件为例,现有的内埋式电容元件主要有金属/绝缘体/金属(Mental-Insulator-Mental;MIM)电容与垂直指插电容(Vertically-Interdigitated-Capacitor;VIC)两种,其中金属/绝缘体/金属电容器是利用位于多层线路板100之间的上下两片金属平板101a和10 ...
【技术保护点】
一种制造具有埋入被动元件的基板的制程,其特征在于包括下列步骤:提供一夹层电路板,所述夹层电路板具有一第一导电电路;在所述夹层电路板上形成一介电层;在所述介电层内形成一第一凹洞与一第二凹洞;在所述介电层的所述第 一凹洞与第二凹洞内填入一导电材料,以形成一第一电极与一第二电极,所述第一电极、所述第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的所述介电层共同构成所述埋入被动元件;以及在所述第一电极与所述第二电极上形成一第二导电电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王永辉,欧英德,洪志斌,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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