主动元件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种主动元件及其制作方法。主动元件包括一栅极、一栅绝缘层、一通道、一源极与一漏极。栅极配置于一基板上。栅绝缘层配置于基板上且覆盖栅极。栅绝缘层分为一第一区与一第二区。第一区具有均一的厚度，第二区具有均一的厚度，且第一区的厚度大于第二区的厚度。通道配置于栅绝缘层上。源极与漏极分别配置于栅绝缘层上且彼此分离。源极与漏极的分布位置与第一区的分布位置一致。通道接触源极与漏极。本发明专利技术可改善现有技术中馈通电压过大所造成的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种元件及其制作方法，尤其涉及一种主动元件及其制作方法。
技术介绍
具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)已逐渐成为市场的主流。一般而言，液晶显示器包括液晶显示面板(LCD panel)与用以提供面光源的背光模块，其中，液晶显示面板通常包括薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,简称TFT array substrate)、彩色滤光基板(Color Filter substrate,简称CF substrate)以及位于两基板之间的液晶层(liquid crystal layer)。图1为一种现有的像素阵列基板的电路示意图。请参照图1，一般而言，像素阵列基板10位于同一列上的像素结构P10A、P10B、P10C…的薄膜晶体管TFT10A、TFT10B、TFT10C…皆由同一条扫描线S10进行驱动。当扫描线S10提供足够的开启电压时，连接至扫描线S10的薄膜晶体管TFT10A、TFT10B、TFT10C…就会被打开，以使各条数据线D10所搭载的数据(电压电平)能够写入像素结构P10A、P10B、P10C…。当上述写入动作完成后，薄膜晶体管TFT10A、TFT10B、TFT10C…就会被关闭，并通过液晶电容CLC与像素存储电容CST等保持各像素结构P10A、P10B、P10C…内像素电极的电压电平。然而，当薄膜晶体管TFT10A、TFT10B、TFT10C…被关闭时，各像素结构P10A、P10B、P10C…内的像素电极的电压电平很容易受到其他周围电压改变的影响而变动，此电压变动量称为馈通电压(Feed-through voltage)，以下以ΔVP表示。馈通电压可表示为：ΔVP＝[CGD/(CLC+CST+CGD)]×ΔVG (1)方程式(1)内的CLC为液晶电容，CST为像素存储电容，CGD为薄膜晶体管的栅极与漏极间的电容，ΔVG则为扫描线在开启与关闭薄膜晶体管时的电压
差。在液晶显示器的作动原理中，主要就是通过施加于液晶分子的电场大小来改变液晶分子的旋转角度，进而表现出各种灰阶变化。由于施加于液晶分子的电场大小是由各像素结构的像素电极与一共用电极的电压差所决定，因此当像素电极的电压电平受馈通电压ΔVP影响而改变时，就会影响液晶显示器的显示效果。一般而言，经由调整共用电极的电压电平便可以消除馈通电压ΔVP所造成的影响。然而，由于扫描线内的电阻及其他电容的影响，使得ΔVP会随着像素结构距离扫描线输入端越远而越小，即图1所示的像素结构P10A、P10B、P10C的ΔVP会呈现(ΔVP)A>(ΔVP)B>(ΔVP)C的现象，使得液晶显示器的画面发生闪烁的情形。
技术实现思路
本专利技术提供一种主动元件，可改善现有技术中馈通电压过大所造成的问题。本专利技术提供一种主动元件的制作方法，可改善现有技术制作出来的主动元件的馈通电压过大所造成的问题。本专利技术的主动元件包括一栅极、一栅绝缘层、一通道、一源极与一漏极。栅极配置于一基板上。栅绝缘层配置于基板上且覆盖栅极。栅绝缘层分为一第一区与一第二区。第一区具有均一的厚度，第二区具有均一的厚度，且第一区的厚度大于第二区的厚度。通道配置于栅绝缘层上。源极与漏极分别配置于栅绝缘层上且彼此分离。源极与漏极的分布位置与第一区的分布位置一致。通道接触源极与漏极。在本专利技术的一实施例中，栅绝缘层包括一第一绝缘层以及一第二绝缘层。第一绝缘层位于第一区与第二区且具有均一的厚度，第二绝缘层位于第一区且具有均一的厚度。在本专利技术的一实施例中，第一绝缘层的材质不同于第二绝缘层的材质。在本专利技术的一实施例中，栅绝缘层由单一材质构成。在本专利技术的一实施例中，主动元件还包括一像素电极，电性连接漏极。在本专利技术的一实施例中，通道的材质为非晶硅。本专利技术的主动元件的制造方法包括下列步骤。形成一栅极于一基板上。
形成一栅绝缘层于基板上且覆盖栅极。栅绝缘层分为一第一区与一第二区。第一区具有均一的厚度，第二区具有均一的厚度，且第一区的厚度大于第二区的厚度。形成一通道、一源极与一漏极于栅绝缘层上。源极与漏极彼此分离，且源极与漏极的分布位置与第一区的分布位置一致。通道接触源极与漏极。在本专利技术的一实施例中，形成栅绝缘层包括下列步骤。形成一第一绝缘层于第一区与第二区。第一绝缘层具有均一的厚度。形成一第二绝缘层于第一区。第二绝缘层具有均一的厚度。在本专利技术的一实施例中，形成第二绝缘层所使用的光罩及形成源极与漏极所使用的光罩相同。在本专利技术的一实施例中，栅绝缘层是以单一微影蚀刻制程形成。基于上述，在本专利技术的主动元件及其制作方法中，栅绝缘层在源极与漏极下方的厚度增加以减少栅极与漏极间的电容，因此可降低主动元件的馈通电压。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并合附图作详细说明如下。附图说明图1是现有的像素阵列基板的电路示意图；图2A至图2G是本专利技术一实施例的主动元件的制作方法的流程剖面图；图3为电容CGD与显示器的解析度的模拟分析图；图4为馈通电压ΔVP与显示器的解析度的模拟分析图；图5为图2G的主动元件的上视示意图；图6是本专利技术另一实施例的主动元件的剖面示意图。附图标记说明：10：像素阵列基板；CGD、CLC、CST：电容；P10A、P10B、P10C：像素结构；TFT10A、TFT10B、TFT10C：薄膜晶体管；S10：扫瞄线；D10：数据线；50：基板；100、200：主动元件；110：栅极；120、220：栅绝缘层；120A：第一区；120B：第二区；122：第一绝缘层；124：第二绝缘层；130：通道；140：像素电极；152：源极；154：漏极；160：绝缘层；170：共用电极；S20：扫瞄线；D20：数据线；L12、L14、L16、L18：曲线；ΔVP：馈通电压。具体实施方式本专利技术的一实施例的主动元件的制作方法介绍如下。首先如图2A所示，形成一栅极110于一基板50上。基板50的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、不透光/反射材料(如导电材料、晶片、陶瓷等)或是其它合适的材质。栅极110的材料一般是金属材料。但本专利技术不限于此，在其他实施例中，栅极110的材质也可以是其他导电材质，如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导电材质的堆叠层。请参考图2A及图2B，首先如图2B所示，形成一第一绝缘层122于基板50上且覆盖栅极110，第一绝缘层122同时分布于一第一区120A与一第二区120B。第一绝缘层122具有均一的厚度。接着如图2C所示，形成一第
二绝缘层124于第一区120A。第二绝缘层124具有均一的厚度。藉此，形成一栅绝缘层120于基板50上且覆盖栅极110。换言之，本实施例的栅绝缘层120是由第一绝缘层122与第二绝缘层124共同构成，但本专利技术不限于此。基本上，栅绝缘层120是覆盖整个基板50，但不限定于此，只要能覆盖整个栅极110。栅绝缘层120分为第一区120A与第二区120B。第一区120A具有均一的厚度，第二区120B具有均一的厚度，且第一区120A的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动元件，其特征在于，包括：栅极，置于基板上；栅绝缘层，置于所述基板上且覆盖所述栅极，所述栅绝缘层分为第一区与第二区，所述第一区具有均一的厚度，所述第二区具有均一的厚度，且所述第一区的厚度大于所述第二区的厚度；通道，置于所述栅绝缘层上；以及源极与漏极，分别置于所述栅绝缘层上且彼此分离，其中所述源极与所述漏极的分布位置与所述第一区的分布位置一致，所述通道接触所述源极与所述漏极。

【技术特征摘要】
2014.12.27 TW 1031459521.一种主动元件，其特征在于，包括：栅极，置于基板上；栅绝缘层，置于所述基板上且覆盖所述栅极，所述栅绝缘层分为第一区与第二区，所述第一区具有均一的厚度，所述第二区具有均一的厚度，且所述第一区的厚度大于所述第二区的厚度；通道，置于所述栅绝缘层上；以及源极与漏极，分别置于所述栅绝缘层上且彼此分离，其中所述源极与所述漏极的分布位置与所述第一区的分布位置一致，所述通道接触所述源极与所述漏极。2.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，所述栅绝缘层包括：第一绝缘层，位于所述第一区与所述第二区且具有均一的厚度；以及第二绝缘层，位于所述第一区且具有均一的厚度。3.根据权利要求2所述的主动元件，其特征在于，所述第一绝缘层的材质不同于所述第二绝缘层的材质。4.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，所述栅绝缘层由单一材质构成。5.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，还包括像素电极，电性连接所述漏极。6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王豪伟，江佳铭，赖枝文，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71