提高整合被动器件电感器Q值的方法技术

技术编号:9407317 阅读:127 留言:0更新日期:2013-12-05 06:28
一种提高整合被动器件电感器Q值的方法,包括:首先,在高阻硅衬底上直接淀积一个无定形硅层,以使得无定形硅层直接形成在高阻硅衬底上;随后,在无定形硅层上直接生长一个层间绝缘层,以使得层间绝缘层直接形成在无定形硅层上;然后,在层间绝缘层层上淀积金属层,并形成金属层的图案从而制作电感器。在本发明专利技术的中,通过在高阻硅衬底与层间绝缘层层之间布置一个无定形硅层,使表面导电层从高阻硅衬底与层间绝缘层表面转移到无定形硅与层间绝缘层表面,无定形硅是一种无序材料,其没有完整的晶胞和由晶胞组成的完整晶格,存在大量的结构上和键结上的缺陷,有效地增加了表面缺陷密度,从而有效地提高了整合被动器件电感器Q值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高整合被动器件电感器Q值的方法,其特征在于包括:首先,在高阻硅衬底上直接淀积一个无定形硅层,以使得无定形硅层直接形成在高阻硅衬底上;随后,在无定形硅层上直接生长一个层间绝缘层,以使得层间绝缘层直接形成在无定形硅层上;然后,在层间绝缘层层上淀积金属层,并形成金属层的图案从而制作电感器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黎坡
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:

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