【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电容器的制作方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一介质层以及第一多晶硅层，刻蚀所述第一多晶硅层以及第一介质层，暴露出部分半导体衬底；在所述半导体衬底以及第一多晶硅层上依次形成第二介质层以及第二多晶硅层，刻蚀所述第二多晶硅层以及第二介质层，暴露出所述第一多晶硅层以及半导体衬底；在所述半导体衬底以及第二多晶硅层上形成第三介质层，刻蚀所述第三介质层，形成沟槽，所述沟槽暴露出所述第二多晶硅层；在所述第三介质层上以及所述沟槽中形成第四介质层，依次刻蚀所述第四介质层、第三介质层，形成第一通孔、第二通孔以及第三通孔，所述第一通孔暴露出所述半导体衬底，所述第二通孔暴露出所述第一多晶硅层，所述第三通孔暴露出所述第二多晶硅层；在所述第一通孔、第二通孔、第三通孔以及沟槽中填充金属物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高超，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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