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本发明提出一种电容器结构及其制作方法，在现有的电容器基础上形成一层第四介质层，并且刻蚀第四介质层形成沟槽，并对沟槽填充金属物，第一多晶硅层作为第一极板，第二多晶硅层作为第二极板，沟槽中的金属物作为第三极板，第二介质层以及第四介质层作为极板之...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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