【技术实现步骤摘要】
相关申请此申请要求申请日为2011年8月22日的美国临时专利61/525971的优先权,其通过参考在此引入。
技术介绍
由于希望在照射、IXD背光、汽车工业等的产业中的大量使用,半导体HBLED (高亮度LED)的制造正在经历快速的增长。HBLED的制造的这种趋势以及相对简单化需要新来者(例如在台湾和中国)进入这个市场以及竞争和市场都要求HBLED价格的下降。典型地,这样的制造起始于2英寸晶片且发展到4英寸晶片,而现在最先进的采用6英寸晶片技术,但是,大部分的市场仍停留在2英寸和4英寸晶片部分。AOI是HBLED的制造工艺的整体部分,并且因此也承受着减少所有权成本(COO)的压力。工业上目前的解决方法是采用“单晶片扫描”,其包括装载/卸载、光学特征识别(OCR)或其他身份信息(ID)读取过程、对准和图像获取(扫描)。对于2英寸晶片,现在能得到的最大的吞吐量限制于140WPH(每小时的晶片)。由于晶片小,因此扫描时间相对短,因此其他的操作产生很高百分比的开销。
技术实现思路
根据专利技术的一个实施例,可以提供一种检查系统且检查系统可以包括:可以被配置为同时支撑多个晶片的多晶片 ...
【技术保护点】
一种检查系统包括:被配置为同时支撑多个晶片的多晶片支撑器件;被配置为获得由多晶片支撑器件支撑的多个晶片的图像的光学部件;被配置为在多晶片支撑元件和光学部件之间引入移动的机械台;以及被配置为处理由光学部件获得的图像的处理器。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:G·格兰,A·B·那坦,O·卡兹,M·韦纳,
申请(专利权)人:卡姆特有限公司,
类型:发明
国别省市:
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