连续式溅镀设备制造技术

一种连续式溅镀设备，包括依次相邻设置的进料腔体、溅镀腔体及出料腔体，该溅镀腔体包括溅镀室及装设于该溅镀室内的靶材组件与若干电极，该溅镀室内设有一溅镀区，该若干电极相对装设于该溅镀室的侧壁上，设于同一侧的若干电极间隔设置，该靶材组件包括若干靶材，每一靶材装设于相应电极上并远离该溅镀区，同一侧相邻靶材之间形成间隙。该靶材组件还包括至少一遮蔽件，该至少一遮蔽件相对该间隙设置，并位于该若干靶材与该溅镀区之间，用以遮蔽挡设相邻靶材边缘原子的溅射。本发明专利技术提供的连续式溅镀设备，遮蔽件能够减小靶材上端部的原子同时被撞击至基材上的几率，有效地提高了沉积至基材上的膜厚均匀性，能够适用于对外观性要求高的镀膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种溅镀设备，尤其涉及一种连续式溅镀设备。
技术介绍
真空溅镀技术已广泛应用于众多产业领域中，如半导体制造业、光电业、电子业等。真空溅镀技术的原理为在高真空环境中将氩、氖等惰性气体散布于具高电位差的二金属板之间，惰性气体与电子撞击形成等离子，等离子内的氩、氖等惰性离子受电场加速而撞击到靶材的表面，靶材上的原子被撞击后飞到基材的表面，基材表面经靶材原子沉积后即可形成薄膜。目前，为降低真空溅镀制程的成本，所采用的溅镀设备多为连续式(In-line)，以取代传统批次式(Batch Type)或对夹式(Wafer Type)的生产方式。现有的连续式溅镀设备通常包括依次设置的进料腔体、溅镀腔体及出料腔体。溅镀腔体内设有至少二靶材，用于对基材镀膜。该至少二靶材于溅镀腔体内沿基材被传送方向等间隔设置。当基材被传送至溅镀腔体内相邻靶材之间隙位置处时，靶材端部的原子皆被撞击沉积至基材，造成膜层呈波浪状，膜厚均匀性不高。因此，现有的连续式溅镀设备对于外观要求较高、膜厚要求均匀性高的产品并不适用。
技术实现思路
鉴于上述内容，有必要提供一种能够提高镀膜均匀性的连续式镀膜设备。一种连续式溅镀设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连续式溅镀设备，包括依次相邻设置的进料腔体、溅镀腔体及出料腔体，该溅镀腔体包括溅镀室及装设于该溅镀室内的靶材组件与若干电极，该溅镀室内设有一溅镀区，该若干电极相对装设于该溅镀室的侧壁上，设于同一侧的若干电极间隔设置，该靶材组件包括若干靶材，每一靶材装设于相应电极上并远离该溅镀区，同一侧相邻靶材之间形成间隙，其特征在于：该靶材组件还包括至少一遮蔽件，该至少一遮蔽件相对该间隙设置，并位于该若干靶材与该溅镀区之间，用以遮蔽挡设相邻靶材边缘原子的溅射。

【技术特征摘要】
1.一种连续式溅镀设备，包括依次相邻设置的进料腔体、溅镀腔体及出料腔体，该溅镀腔体包括溅镀室及装设于该溅镀室内的靶材组件与若干电极，该溅镀室内设有一溅镀区，该若干电极相对装设于该溅镀室的侧壁上，设于同一侧的若干电极间隔设置，该靶材组件包括若干靶材，每一靶材装设于相应电极上并远离该溅镀区，同一侧相邻靶材之间形成间隙，其特征在于:该靶材组件还包括至少一遮蔽件，该至少一遮蔽件相对该间隙设置，并位于该若干靶材与该溅镀区之间，用以遮蔽挡设相邻靶材边缘原子的溅射。2.如权利要求1所述的连续式溅镀设备，其特征在于:该至少一遮蔽件水平投影的长度大于或等于该间隙的长度。3.如权利要求2所述的连续式溅镀设备，其特征在于:该至少一遮蔽件与该若干靶材相互平行。4.如权利要求1所述的连续式溅镀设备，其特征在于:该连续式镀膜设备还包括第一缓冲腔体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆州，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：