一种制备钼靶的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备钼靶的方法，该方法为：一、将钼粉压制成钼坯料，置于高温炉内进行预烧结得到预烧结坯；二、将预烧结坯置于高温炉内进行烧结，得到高纯钼金属坯；三、将高纯钼金属坯送入马弗炉中加热，然后对加热后的高纯钼金属坯进行压力加工，得到钼板；四、将钼板加热，冷却后进行机械加工；五、将经机械加工后的钼板清洗干净，与金属背板绑定，得到钼靶。本发明专利技术采用在低压力下进行预烧结，能够降低杂质熔点，创造杂质挥发条件，有利于去除材料中的气体元素和低熔点杂质，尤其是降低了材料中的C、O、Si、Cr、Ca、K、Mg、Ti、Ni等杂质元素含量，显著提高了制成品的纯度，保证了钼溅射靶材的纯度和产品质量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备钼靶的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将钼粉压制成钼坯料，然后将钼坯料置于高温炉内，在炉内压力不大于1×10?1Pa的条件下进行预烧结，随炉冷却后得到预烧结坯；所述预烧结的过程为：将高温炉升温至800℃～1100℃后保温0.5h～20h，然后继续升温至1100℃～1500℃后保温0.5h～20h，再继续升温至1500℃～2000℃后保温0.5h～20h，所述升温的速率为1℃/秒～20℃/秒；步骤二、将步骤一中所述预烧结坯置于高温炉内，在真空条件下或气氛保护条件下进行烧结，得到质量纯度不小于99.97%的高纯钼金属坯；所述烧结的过程为：将高温炉升温至1600℃～2300℃后保温0.5h～20h，所述升温的速率为1℃/秒～20℃/秒；步骤三、将步骤二中所述高纯钼金属坯送入温度为900℃～1500℃的马弗炉中，在氢气气氛保护下加热30min～120min，然后对加热后的高纯钼金属坯进行压力加工，得到钼板；步骤四、将步骤三中所述钼板加热至800℃～1300℃后保温热处理30min～240min，冷却后进行机械加工；步骤五、将步骤四中经机械加工后的钼板清洗干净，然后采用金属铟或含有金属铟的混合物作为粘接剂将清洗干净的钼板与金属背板绑定，得到钼靶。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王林，朱琦，杨秦莉，王娜，
申请(专利权)人：金堆城钼业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：