【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种区熔炉单晶夹持系统。
技术介绍
众所周知,现代信息技术和现代电子技术的核心是半导体技术,而半导体硅单晶材料是最重要的半导体材料。在半导体硅单晶的生产过程中主要采用直拉法和区熔法生产。区熔硅单晶由于其生产相对杂质含量低,是制造功率器件的优秀材料。随着技术进步,半导体硅材料的发展非常迅速,硅单晶渐向大直径、大重量方向发展。区熔法生产硅单晶的过程中采用的是整根的圆柱状多晶料。随着单晶直径的增加,生产过程中硅单晶单根重量已经超过20公斤。这种情况下采用简单的单晶夹持器已很难实现单晶的稳定生长,同时也具有很大的安全隐患。生产单晶的工艺框图(见图1)。随着单晶工艺的逐渐提高,单晶市场逐渐向大直径方向发展,同时单晶重量也不断增加,此时现有的夹持器不能满足大直径单晶对其作用力的要求。原始区熔炉夹持系统结构简单,由夹持针压块、夹持针、压块支架组成。初使外轴不动,内轴以3mm/min的速度稳定的向下运动,当单晶生长至等径100_长后,按下夹持按钮,夹持套筒与内外轴同时向下移动,夹持针以圆形轨迹逆时针方向缓慢的运动,直到夹持针与单晶完全接触。由于单晶表面不均匀,此方法在 ...
【技术保护点】
一种区熔炉单晶夹持系统,其特征在于:它包括:夹持套筒A,内轴套筒,所述的内轴套筒中心处设内轴轴头,内轴轴头与用于拉伸单晶的籽晶夹头连接,所述的夹持套筒A为锥形,锥顶为敞口,敞口的中心供单晶通过,所述单晶的细颈一端与籽晶连接,位于锥尖部下方的直线段设有顶丝孔,夹持套筒A与内轴套筒外部通过顶丝B固定,位于籽晶夹头下方的内轴轴头上套有挡渣板,挡渣板的外径与内轴套筒内径相匹配,在夹持套筒锥顶部设有多晶硅球流入口,在由夹持套筒A与内轴套筒连成的套筒的内侧与单晶的外侧的空间,且该空间的高度方向是从挡渣板的上方到锥顶敞口均布满支撑用的多晶硅球。
【技术特征摘要】
1.一种区熔炉单晶夹持系统,其特征在于:它包括:夹持套筒A,内轴套筒,所述的内轴套筒中心处设内轴轴头,内轴轴头与用于拉伸单晶的籽晶夹头连接,所述的夹持套筒A为锥形,锥顶为敞口,敞口的中心供单晶通过,所述单晶的细颈一端与籽晶连接,位于锥尖部下方的直线段设有顶丝孔,夹持套筒A与内轴套筒外部通过顶丝B固定,位于籽晶夹头下方的内轴轴头上套有挡渣板,挡渣板...
【专利技术属性】
技术研发人员:付斌,闫志瑞,方峰,王学锋,陈海滨,
申请(专利权)人:有研半导体材料股份有限公司,国泰半导体材料有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。