区熔单晶炉下轴运动机构制造技术

本实用新型专利技术涉及非金属晶体的制造设备，旨在提供一种区熔单晶炉的下轴运动机构。该下轴运动机构包括外轴、支撑框、驱动丝杆、丝杆驱动电机、驱动托盘、花键轴、花键轴驱动电机、外轴旋转皮带轮组、外轴轴承、轴承仓组件和轴承仓旋转皮带轮组。本实用新型专利技术采用内、外轴联动的形式，可实现外轴的旋转和升降运动、内轴的升降运动和与外轴同步的旋转运动，能够满足区熔单晶炉籽晶引晶、晶体生长和旋转运动等生长要求，且运动可靠平稳，密封性能好，为区熔炉稳定拉制单晶提供保证。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于非金属晶体的制造设备，特别涉及一种区熔单晶炉的下轴运动机构。
技术介绍
硅材料是现代信息社会的基础，它不仅是光伏发电等产业的主要功能材料，也是半导体产业，特别是电力电子器件的基础材料。区熔法(FZ)生产单晶硅是区别于直拉炉(CZ)的一种新型的单晶生长方法，它利用高频感应加热线圈将高纯度的多晶料局部融化，熔区依靠熔硅的表面张力和加热线圈提供的磁托浮力而处于悬浮状态，然后从熔区的下方利用籽晶将熔硅拉制成单晶。由于没有坩埚污染，区熔炉生长的单晶硅纯度高，均匀性好，低微缺陷。特别是随着国家对能源、交通、大规模集成电路等影响国民经济发展的瓶颈行业的支持，对大电流的电力电子器件需要越来越大，要求也越来越高，要求硅单晶向大直径、大投料量、高纯度、高均匀性方向发展。由于区熔法生长单晶硅的熔区的特殊性，硅单晶的籽晶引晶、晶体生长和旋转运动均由下轴系统提供，使 得区熔单晶炉对下轴旋转升降的稳定性要求很高，下轴的轻微震动都可能对硅单晶质量造成影响，甚至造成溢流而损坏设备。特别是随着拉制的单晶尺寸变大，区熔直径变大，对下轴运动的要求更高。由于区熔炉下轴运动机构运动较为复杂，而且对稳定性要求较高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种区熔单晶炉下轴运动机构，包括外轴，其特征在于，所述下轴运动机构还包括支撑框、驱动丝杆、丝杆驱动电机、驱动托盘、花键轴、花键轴驱动电机、外轴旋转皮带轮组、外轴轴承、轴承仓组件和轴承仓旋转皮带轮组；所述支撑框上端和下端分别设有支撑顶板和支撑底板，支撑顶板和支撑底板之间设有驱动丝杆、花键轴和导向光轴，支撑顶板上设有丝杆定位套，所述驱动丝杆与支撑底板下端固定的丝杆驱动电机连接，所述花键轴与固定在支撑框上端侧面的花键轴驱动电机连接；在支撑框内部设有驱动托盘，驱动丝杆、花键轴和导向光轴分别贯穿驱动托盘，外轴下端连接驱动托盘；所述花键轴分为外轴旋转花键轴和内轴升降花键轴，外轴旋转花键轴通过外轴旋转皮带轮...

【技术特征摘要】
1.一种区熔单晶炉下轴运动机构，包括外轴，其特征在于，所述下轴运动机构还包括支撑框、驱动丝杆、丝杆驱动电机、驱动托盘、花键轴、花键轴驱动电机、外轴旋转皮带轮组、夕卜轴轴承、轴承仓组件和轴承仓旋转皮带轮组； 所述支撑框上端和下端分别设有支撑顶板和支撑底板，支撑顶板和支撑底板之间设有驱动丝杆、花键轴和导向光轴，支撑顶板上设有丝杆定位套，所述驱动丝杆与支撑底板下端固定的丝杆驱动电机连接，所述花键轴与固定在支撑框上端侧面的花键轴驱动电机连接；在支撑框内部设有驱动托盘，驱动丝杆、花键轴和导向光轴分别贯穿驱动托盘，外轴下端连接驱动托盘；所述花键轴分为外轴旋转花键轴和内轴升降花键轴，外轴旋转花键轴通过外轴旋转皮带轮组带动外轴旋转； 所述外轴旋转皮带轮组和外轴轴承之间设有外轴轴承定位套，在外轴轴承下端设有轴承压板，轴承压板固定在驱动托盘上；支撑顶板与下炉室连接处设有轴承仓组件，所述轴承仓组件与外轴旋转花键轴之间通过轴承仓旋转皮带轮组实现连接。2.根据权利要求1所述的区熔单晶炉下轴运动机构，其特征在于，所述外轴是空心圆轴，外轴下端内置内轴传动组件，包括内轴升降皮带轮组、内轴丝杆、内轴轴承、内轴支撑套、外轴旋转套、内轴支撑套固定板和内轴传动轴；所述外轴旋转套与外轴下端内侧固定，在外轴旋转套内设有内轴支撑套，内轴支撑套通过内轴支撑套固定板与驱动托盘实现固定，内轴丝杆内置在内轴支撑套内，内轴丝杆与内轴轴承连接，所述内轴升降花键轴与内轴丝杆之间通过内轴升降皮带轮组实现连接，内轴传动轴贯穿于内轴支撑套，且下端与内轴丝杆固定，内轴传动轴上端与内轴下端连接。3.根据权利要求2所述的区熔单晶炉下轴运动机构，其特征在于，所述外轴旋转套与外轴之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳鹏根，石刚，傅林坚，曹建伟，陈明杰，王丹涛，邱敏秀，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：