一种区熔炉反射环制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种区熔炉反射环
本专利技术涉及一种硅单晶区熔炉的反射环。
技术介绍
如图1、2所述，现有的技术中的区熔炉反射环，为上部带有冷却水管的铜质非封闭圆环。而实际生产中我们发现，硅单晶在区熔保持的过程中会产生开裂的情况。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种区熔炉反射环，避免出现硅单晶保持过程中开裂的情况。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：包括反射环固定件,所述固定件包括圆环固定架和和夹持件,所述圆环固定架位于夹持件的一端,所述圆环固定架内固定一封闭圆环,所述封闭圆环的上半部开有若干U型槽。进一步，所述封闭圆环为铜质圆环。优选的，所述圆环高度为15-60mm。优选的，所述U型槽深度为5-20mm。本专利技术具有的优点和积极效果是：本专利技术改变了原有反射环的结构，取消了冷却水管，并在圆环上开槽，该结构的设计能降低硅单晶在保持过程中的内应力，有效地避免了硅单晶的开裂。附图说明图1是现有技术中反射环的俯视结构示意图图2是现有技术中反射环的侧视结构示意图图3是本专利技术反射环的俯视结构示意图图4是本专利技术反射环的侧视结构示意图图中：1、冷却水路2、非封闭圆环3、夹持件4、圆环固定架5、封闭圆环6、U型槽具体实施方式如图1所示，现有技术中的反射环包括非封闭圆环1和位于非封闭式圆环1外部的冷却水路2，该非封闭圆环2的厚度约为15-40mm。而经过我方的试验的研究论证，发现这种设计容易造成硅单晶在保持过程中由于内应力过大产生开裂的情况。故针对这个问题对反射环进行了重新设计和改进。本申请的区熔炉反射环，包括反射环固定件,固定件包括圆环固定架4和和夹持件3...
【技术保护点】
一种区熔炉反射环，其特征在于：包括反射环固定件,所述固定件包括圆环固定架和夹持件,所述固定架位于夹持件的一端,所述固定架内固定一封闭圆环,所述封闭圆环的上半部开有若干U型槽。
【技术特征摘要】
1.一种区熔炉反射环，其特征在于：包括反射环固定件,所述固定件包括圆环固定架和夹持件,所述固定架位于夹持件的一端,所述固定架内固定...
【专利技术属性】
技术研发人员：王遵义，刘铮，刘嘉，冯啸桐，孙昊，刘琨，王彦君，赵宏波，
申请(专利权)人：天津市环欧半导体材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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