【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体晶片加工部件，特别是一种改进式晶片研磨用定位环。该环形压制区6是由环体2的无孔下表面的延伸面及环体下环口周边的沿环体厚度方向倒切斜线间构成的锥台状空间。参见图2、图3。金属环体3的截面为矩形内埋式，在环体2上环面开设有若干个相间隔的连接用螺孔5，各螺孔5从环体上部、向下沿金属环体3的厚度方向开通。参见图2。权利要求1.一种改进式晶片研磨用定位环，其特征在于该定位环具一个金属环体，其特征在于在金属环体外部包复有一塑胶层，该塑胶层所形成的环体下部表面内环口侧设有与研磨的晶片相触压的环形压制区。2.按照权利要求1所述的一种改进式晶片研磨用定位环，其特征在于该环形压制区是由环体的无孔下表面的延伸面及环体下环口周边的沿环体厚度方向倒切斜线间构成的锥台状空间。3.按照权利要求1或2所述的一种改进式晶片研磨用定位环，其特征在于金属环体的截面为矩形内埋式，在环体上环面开设有若干个相间隔的连接用螺孔，各螺孔从环体上部、向下沿金属环体的厚度方向开通。专利摘要本新型提供了一种改进式晶片研磨用定位环,它具有变形小、定位准确、牢固的特点,该定位环具有一个金属环体,其特征在于:在金属环体外部包覆有一塑胶层,该塑胶层所形成的环体下部表面内环口侧设有与研磨的晶片相触压的环形压制区。由于以金属环体作为内骨架,而内部金属骨架外再一体成型包覆上塑胶层后组成了整体无对接缝口的定位环,不仅整体强度、刚性、抗拉变形性提高,而且,其外表均为塑胶体,不会磨损研磨的晶片且具较长的使用寿命。文档编号B23Q3/18GK2511432SQ0127097公开日2002年9月18日 申请...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈水源，陈水生，陈添丁，
申请(专利权)人：陈水源，陈水生，陈添丁，
类型：实用新型
国别省市：
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