一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法，用以解决现有技术中电子设备续航能力无法大幅提高，同时不能随时补充电力，以及光电转换件充满电后设备内没有存储多余电能的功能。该显示基板包括：位于所述显示基板上的光电转换件和位于所述显示基板上的电容，所述电容的一端与所述光电转换件的一个电极相连，所述电容的另一端与所述光电转换件的另一个电极连接，所述光电转换件用于将所述光电转换件吸收的光线的能量转换为电能，所述电容用于存储所述光电转换件转换的电能以及将电能供给显示面板外部光电转换件实现充电功能，以及外部光电转换件充电充满时存储外部电源多余电能的功能，能提高设备续航能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法。
技术介绍
目前，高性能的移动终端越来越多，而高性能的移动终端的耗电量也相对增大。而且高性能的移动终端中大量采用触控屏幕，这也大大增加了移动终端的耗电量。现在通常采用的办法是降低显示面板自身的功耗水平，比如，采用有机树脂材料等新的低功耗材料，或者采用更高性能的薄膜晶体管来降低显示面板的功耗，但是器件结构本身造成的功耗降低存在极限，导致手机等设备续航能力无法大幅提高，同时不能随时补充电力，以及光电转换件充满电后设备内没有存储多余电能的功能。综上所述，现有技术中在采用低功耗材料或者高性能的薄膜晶体管来降低显示面板的功耗时，不能充分满足提高设备续航能力的要求。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种显示基板、显示面板和制造显示基板方法，用以解决现有技术中采用低功耗材料或者高性能的薄膜晶体管来降低显示面板的功耗时。基于上述问题，本专利技术实施例提供的一种显示基板，包括：位于所述显示基板上的光电转换件和位于所述显示基板上的电容，所述电容的一端与所述光电转换件的一个电极相连，所述电容的另一端与所述光电转换件的另一个电极连接，所述光电转换件用于将所述光电转换件吸收的光线的能量转换为电能，所述电容用于存储所述光电转换件转换的电能。本专利技术实施例提供的一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的显示基板。本专利技术实施例还提供一种制造本专利技术实施例提供的显示基板的方法，包括：在显示基板上形成所述光电转换件和所述电容；将所述电容的一端与所述光电转换件的一个电极相连，并将所述电容的另一端与所述光电转换件的另一个电极相连。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的显示基板、显示面板和制造显示基板的方法，通过在显示基板上形成光电转换件和电容，从而在光电转换件将吸收到的光线的能量转换为电能后，可以将电能存储在电容中，采用设有电容和光电转换件的显示基板来来制造显示面板时，显示基板上的光电转换件和电容可以为该显示面板供电和/或为设有该显示面板的设备供电，降低了显示面板以及设有该显示面板的设备的功耗，从而不必采用低功耗材料或者高性能的薄膜晶体管来降低显示面板的功耗。附图说明图1a-图1d是本专利技术实施例提供的显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上光电转换件位于电容之上的区域中彩膜基板的结构的剖视图；图2a-图2d是本专利技术实施例提供的显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上电容位于光电转换件之上的区域中彩膜基板的结构的剖视图；图3a和图3b是本专利技术实施例提供的显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上仅存在光电转换件的区域中彩膜基板的结构的剖视图；图4a和图4b是本专利技术实施例提供的显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上仅存在电容的区域中彩膜基板的结构的剖视图；图5为本专利技术实施例提供的显示基板为彩膜基板时，彩膜基板的结构的俯视图；图6为本专利技术实施例提供的显示基板为彩膜基板时，彩膜基板上的光电转换件与外接电源连接的示意图；图7为在本专利技术实施例提供的阵列基板上形成数据线、栅极线和TFT之后，阵列基板的结构的俯视图；图8a-图8h为本专利技术实施例提供的显示基板为阵列基板时，包含数据线、栅极线和TFT的阵列基板的结构的剖视图；图9为本专利技术实施例提供的显示基板的制造流程图。具体实施方式本专利技术实施例提供的显示基板、显示面板和制造显示基板的方法，通过在基板上形成电容和能将吸收到的光能转化为电能的光电转换件，从而为采用该显示基板的显示面板和/或设有该显示面板的设备供电，降低了采用该显示基板的显示面板和/或采用该显示面板的设备的功耗。下面结合说明书附图，对本专利技术实施例提供的一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法的具体实施方式进行说明。本专利技术实施例提供的一种显示基板，包括：位于该显示基板上的光电转换件和位于该显示基板上的电容，电容的一端与光电转换件的一个电极相连，电容的另一端与光电转换件的另一个电极连接，其中，光电转换件用于将所述光电转换件吸收的光线的能量转换为电能，电容用于存储所述光电转换件转换的电能。为了使电容的一端与光电转换件的一个电极相连，电容的另一端与光电转换件的另一个电极连接，可以在形成电容和光电转换件的同时，在电容的两端引出线来，并在光电转换件的两极引出线来，在显示基板的边缘处设置两个接线点，将电容一端的引线与光电转换件的一个电极的引线都连接在一个接线点上，将电容另一端的引线与光电转换件的另一个电极的引线都连接在另一个接线点上。该显示基板可以是彩膜基板，光电转换件位于彩膜基板上色阻外区域，电容位于彩膜基板上色阻外区域。其中，色阻包括红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻，即红绿蓝滤光层。该色阻并不限于红绿蓝三色，还可以是红绿蓝白四色色阻。因此，电容及光电转换件覆盖的区域均超过彩膜基板上色阻外区域的一半，则彩膜基板上的部分区域中的光电转换件和电容就会层叠，未层叠彩膜基板区中的一部分区域中形成有光电转换件，另一部分未层叠的彩膜基板区中的一部分区域中形成有电容。较佳地，可以在彩膜基板上色阻外区域全部形成光电转换件，并在彩膜基板上色阻外区域全部形成电容。在彩膜基板上光电转换件位于电容之上的区域中，彩膜基板的剖视图是如图1a所示是一实施例，如图1b所示是另一实施例。在电容中的介电层为透光材质时，彩膜基板的剖视图如图1c所示是一实施例，如图1d所示是另一实施例。在图1a和图1c中，电容包括位于玻璃基板17上的电极层1、位于作为电容一端的电极层1上的介电层2、位于介电层2上的共用电极层3；光电转换件包括共用电极层3、位于共用电极层3上的P型硅层4、位于P型硅层4上的I型硅层5、位于I型硅层5上的N型硅层6、位于N型硅层6上的作为光电转换件的一个电极的电极层7。在图1b和图1d中，电容包括位于玻璃基板17上的、位于作为电容一端的电极层1上的介电层2、位于介电层2上的共用电极层3；光电转换件包括共用电极层3、位于共用电极层3上的N型硅层6、位于N型硅层6上的I型硅层5、位于I型硅层5上的P型硅层4、位于P型硅层4上的作为光电转换件的一个电极的电极层7。其中，N型硅层6、I型硅层5和P型硅层4构成光电转换件中的PN结。图1a和图1b的区别在于，在图1a中N型硅层6位于I型硅层5之上，P型硅层4位于I型硅层5之下；而在图1b中P型硅层4位于I型硅层5之上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，包括：位于所述显示基板上的光电转换件光电转换件和位于所述显示基板上的电容，所述电容的一端与所述光电转换件光电转换件的一个电极相连，所述电容的另一端与所述光电转换件光电转换件的另一个电极连接，所述光电转换件光电转换件用于将所述光电转换件吸收的光线的能量转换为电能，所述电容用于存储所述光电转换件光电转换件转换的电能。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：位于所述显示基板上的光电转换
件光电转换件和位于所述显示基板上的电容，所述电容的一端与所述光电转换
件光电转换件的一个电极相连，所述电容的另一端与所述光电转换件光电转换
件的另一个电极连接，所述光电转换件光电转换件用于将所述光电转换件吸收
的光线的能量转换为电能，所述电容用于存储所述光电转换件光电转换件转换
的电能。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为彩膜基
板，所述光电转换件光电转换件位于所述彩膜基板上色阻外区域；所述电容位
于所述彩膜基板上色阻外区域。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述光电转换件位于所
述电容上，在所述光电转换件中的PN结下、所述电容中的介电层上设有共用
电极层，所述共用电极层为所述光电转换件的一个电极，且为所述电容的一端；
所述光电转换件中作为所述光电转换件的另一个电极的电极层透光，所述
电容中作为所述电容另一端的电极层和所述共用电极层中至少有一层不透光。
4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述电容位于所述光电
转换件上，在所述电容中的介电层下、所述光电转换件中的PN结上设有共用
电极层，所述共用电极层为所述光电转换件的一个电极，且为所述电容的一端；
所述光电转换件中作为所述光电转换件的另一个电极的电极层透光，所述
电容中作为所述电容另一端的电极层和所述共用电极层中至少有一层不透光。
5.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述光电转换件中作为
所述光电转换件的一个电极的电极层和作为所述光电转换件的另一个电极的
电极层中仅有一层不透光。
6.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述电容中作为所述电
容的一端的电极层和作为所述电容的另一端的电极层中的至少一层不透光。
7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为阵列基

\t板，所述光电转换件位于所述阵列基板上像素电极层外区域；所述电容位于所
述阵列基板上像素电极层外区域。
8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述电容位于所述光电
转换件上，在所述电容中的介电层下、所述光电转换件中的PN结上设有共用
电极层，所述共用电极层为所述光电转换件的一个电极，且为所述电容的一端；
所述光电转换件中作为所述光电转换件的另一个电极的电极层透光。
9.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述光电转换件中作为
所述光电转换件的一个电极的电极层透光，该透光的电极层设置于所述阵列基
板上。
10.如权利要求1~9任一所述的显示基板，其特征在于，还包括电源电路
及外接电源，该显示基板上的光电转换件通过电源电路连接到外接电源，该光
电转换件能给外接电源充电。
11.一种显示面板，其特征在于，包含如权利要求1~10任一所述的显示
基板。
12.一种制造如权利要求1~9任一所述的显示基板的方法，其特征在于，
包括：
在显示基板上形成所述光电转换件和所述电容；
将所述电容的一端与所述光电转换件的一个电极相连，并将所述电容的另
一端与所述光电转换件的另一个电极相连。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述显示基板为彩膜基板，
在所述彩膜基板上色阻外区域形成光电转换件，并在所述彩膜基板上色阻外区
域形成电容；或者
所述显示基板为阵列基板，在所述阵列基板上像素电极层外区域形成光电
转换件，并在所述阵列基板上像素电极层外区域。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，根据下列步骤形成所述光
电转换件；
显示基板上形成光电转换件的区域与形成电容的区域重叠；则在所述电容
上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；将所述N型硅层中与所述电
容中的窗口相对应的位置的掺入N型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的N
型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与所述窗口
相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入
P型离子的硅材料，形成P型硅层；将所述P型硅层中与所述窗口相对应的位
置的掺入P型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积第一电极
材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；或者，在所述电容上沉积掺
入P型离子的硅材料，形成P型硅层；将所述P型硅层中与所述电容中的窗口
相对应的位置的掺入P型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉
积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与所述窗口相对应的位
置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入N型离子的
硅材料，形成N型硅层；将所述N型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入N
型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积第一电极材料，形成
作为光电转换件的一个电极的电极层；或者
显示基板上形成光电转换件的区域中未形成电容，则在显示基板上需要形
成光电转换件的区域沉积第二电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电
极层，并在所述作为光电转换件的一个电极的电极层中刻蚀出窗口，直至窗口
中的第二电极材料被刻蚀掉；
在刻蚀之后的作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入N型离子
的硅材料，形成N型硅层；在所述N型硅层中刻蚀有窗口，直至所述窗口中
的掺入N型离子的硅材料被刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积未掺杂
的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与所述窗口相对应的位置的未掺
杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，
形成P型硅层；将所述P型硅层中与所述窗口相对应的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：王家恒，朴进山，柳奉烈，金馝奭，郑熙澈，吴功园，杨国波，张雯静，顾振华，王光泉，陈旭，薛海林，谢振宇，姜晓晖，陈小川，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：