承载单元制造技术

一种承载单元包含一基板本体及一设置在该基板本体的顶壁的承载本体。该基板本体包括一气流道，以及一把该气流道与外界连通的入口。该承载本体包括多个阵列排列且分别与该气流道连通的贯孔以及多个出口，且每一贯孔具有一大孔径部、一孔径小于该大孔径部的小孔径部，及一界定于该大孔径部与小孔径部间的肩部。该承载单元是用于承载一含有多个晶种群的坩埚，且该承载单元通过该气流道及具有该大孔径部的所述贯孔的设计，可使一由该入口进入的冷却用气体连续地接触对应所述晶种群位置的坩埚底面，达到局部集中冷却的效果，并且可避免晶种熔化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种用于承载ー制备类单晶硅晶锭装置中的坩埚的承载单元，特别是涉及ー种包含一气流道及多个分别具有大孔径部及小孔径部的贯孔的承载单元。
技术介绍
目前制备类单晶晶锭的方式，包含以下步骤:先把多个单晶晶种群置于ー坩埚中，接着，将多晶硅原料及掺杂元素置于所述晶种群的上方，且布满在该坩锅中，然后，进行加热熔化多晶硅原料，并维持所述晶种群不被完全熔化，待多晶硅原料完全熔化后，控制降温速度，以制备出类单晶晶锭。该方式的瓶颈在于熔化多晶硅原料过程当中，如何确保所述晶种群不会被完全熔化，以提高类单晶晶锭品质。中国台湾公开案TW201012988A掲示ー种用于铸造硅的气体再循环热交換器，其用来承载坩埚。參阅图1，用于铸造硅的该气体再循环热交換器I包含一用来与ー坩埚2热接触的热表面12、一用来让ー气体11流至该气体再循环热交換器I的入口 13、一用来让该气体11由该气体再循环热交換器I流出的出ロ 14、一将该入口 13与该出ロ 14分开且用来导引该气体11的至少一部分至该热表面12上的挡板15、一用来导引该气体11的至少一部分冲击至该热表面12且包括多个孔的穿孔板16，及一配置成可冷却该气体11且使该气体11返回该气体再循环热交換器I的再循环系统(图未示)。该气体再循环热交換器I虽可将该坩埚2底面的热源带走，但该热表面12与该穿孔板16仍有ー小段距离，当气体11快速流动时，气体11无法短暂停留在与该坩埚2中的晶种群21相对应的位置，继而无法较完整地将热源带走，仅能不断地搭配再循环的时间及速度连续地将热源带走，因此，无法有效地发挥局部集中冷却的效果，再者，当再循环的时间及速度无法相互搭配，则所使用的晶种群容易因热源的存在而有熔化的忧虑。经上述说明可知，改良承载单元的整体结构以为坩埚内的晶种群提供一适当的集中冷却效果，从而避免坩埚内的晶种群熔化，并提高类单晶硅晶锭品质，是此
相关技术人员可再突破的课题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供ー种具有局部集中冷却的效果，并且可避免晶种熔化的承载单元。本技术承载单元，包含:一基板本体，包括ー气流道，以及一把该气流道与外界连通的入ロ，该气流道具有多个间隔排列的流道部，以及ー连通所述流道部的连通部 '及ー承载本体，设置在该基板本体的顶壁，包括多个分别自所述承载本体一底面贯穿所述承载本体ー顶面且阵列排列并与该气流道连通的贯孔，以及多个分别贯穿所述承载本体一周面的出口，且每ー贯孔与该气流道连通，且具有一连通该顶面的大孔径部、ー连通该底面且孔径小于该大孔径部的小孔径部，及一界定于该大孔径部与小孔径部间的肩部，所述多个贯孔当中邻近所述出口的贯孔分别与其邻近相应的出口连通，且其余未与所述出ロ连通的贯孔与至少ー相邻的贯孔连通。较佳地，本技术所述承载単元，其中，所述出口分别与所连通的贯孔的大孔径部连通。较佳地，本技术所述承载単元，其中，该承载本体的所述贯孔是ニ维阵列排列。较佳地，本技术所述承载単元，其中，该入口连通于所述流道部中的其中一流道部。较佳地，本技术所述承载単元，其中，还包含一集气元件，设置在该基板本体的底壁，且该集气元件包括一连接该基板本体的底壁周缘的周壁、一连接该周壁并与该基板本体的底壁相间隔的基壁，及一由该周壁及基壁界定出的容置空间，该基壁具有ー贯穿设置并与该容置空间相通的穿孔。较佳地，本技术所述承载単元，其中，该基板本体具有多个分别连通该气流道的入ロ，且所述入口分别连通于所述流道部。较佳地，本技术所述承载単元，其中，该承载本体用于承载ー坩埚，且该坩埚的底面边界与该承载本体的顶面边界相对应。较佳地，本技术所述承载単元，其中，其特征在于:还包含一覆盖于该承载本体的顶面的保护板。较佳地，本技术所述承载単元，其中，该保护板的厚度不大于25_。本技术的有益效果在干:该承载単元通过该气流道及所述分别具有该大孔径部的贯孔的设计，可使由该入口进入的冷却用气体连续地接触对应所述晶种群位置的坩埚底面，达到局部集中冷却的效果，并且可避免晶种熔化。附图说明图1是ー剖面图，说明以往用于铸造硅的气体再循环热交換器；图2是ー立体分解图，说明本技术承载单元的第一较佳实施例；图3是ー俯视图，说明本技术承载单元的第一较佳实施例；图4是取自于图3线4-4的一剖面图，说明本技术承载单元的第一较佳实施例；图5是ー立体分解图，说明本技术承载单元的第二较佳实施例；及图6是ー立体分解图，说明本技术承载单元的第三较佳实施例。具体实施方式有关本技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合參考图式的三个较佳实施例的详细说明中，将清楚呈现。在本技术被详细描述前，要注意的是，在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。參阅图2、图3及图4，本技术承载单元的第一较佳实施例，包含一基板本体4及ー设置在该基板本体4的顶壁的承载本体3。该承载本体3用来承载ー含有多个晶种群8的坩埚6。该基板本体4包括一气流道41，以及一把该气流道41与外界连通的入ロ 42，该气流道41具有5个间隔排列的流道部411，以及ー连通所述流道部411的连通部412。该入ロ 42连通于所述流道部411中其中一位于中间的流道部411。该基板本体4的材质是择自于石墨、红铜、紫铜或不锈钢。在本技术该第一较佳实施例中，该基板本体4的材质是石墨。该入口 42是用来供一冷却用气体7进入该气流道41。该冷却用气体7只要不会与用于制备类单晶的起始原料产生作用或反应皆可，该冷却用气体7例如但不限于氩气、氦气或氮气。该冷却用气体7经该入口 42后，会经由该连通部412流通至所述流道部411。该入口 42的数目可至少I个或对应流道部411的数目，例如，当流道部411的数目为3个时，入口 42可以为I个、2个或3个。详细地说，当入口 42只有I个时，该入口 42连通于所述流道部411中的其中一流道部411 ;当具有多个入口 42时，所述入口 42分别连通于所述流道部411。为能具有局部集中冷却的效果，同时，有效地将热源带走，并且避免所述晶种群8熔化，所述流道部411需对应所述晶种群8的位置，且所述流道部411的数目是依据所述晶种群8的行或列的数目来改变，例如，所述晶种群8以ニ维阵列排列如2X2，则所述流道部411的数目为2个，或，所述晶种群8以ニ维阵列排列如3X2，则所述流道部411的数目为2个或3个。该承载本体3包括25个分别自该承载本体3的底面贯穿该承载本体3的顶面，且以5X5的ニ维阵列排列的贯孔31，以及16个分别贯穿该承载本体3的周面的出ロ 32。每ー贯孔31与该气流道41连通，且具有一连通该顶面的大孔径部311、一连通该底面且孔径小于该大孔径部311的小孔径部312，及ー界定于该大孔径部311与小孔径部312间的肩部313。所述邻近出口 32的贯孔31 (即本实施例中最外围的16个贯孔31)的大孔径部311分别与其邻近的相应的出ロ 32连通，而其余未与所述出ロ 32连通的贯孔31 (即本实施例中内围的9个贯孔31)分别与至少ー相邻的贯孔31连通。该冷却用气体7流通至所述流道部411后，接着分别进入该承载本体3的贯孔31。该承载本体3的材质是择自于石墨、红铜、紫铜或不锈钢本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载单元，其特征在于包含：一基板本体，包括一气流道，以及一把该气流道与外界连通的入口，该气流道具有多个间隔排列的流道部，以及一连通所述流道部的连通部；及一承载本体，设置在该基板本体的顶壁，包括多个分别自该承载本体一底面贯穿该承载本体一顶面且阵列排列并与该气流道连通的贯孔，以及多个分别贯穿该承载本体一周面的出口，每一贯孔与该气流道连通，且具有一连通该顶面的大孔径部、一连通该底面且孔径小于该大孔径部的小孔径部，及一界定于该大孔径部与小孔径部间的肩部，所述多个贯孔当中邻近所述出口的贯孔分别与其邻近的相应的出口连通，且其余未与所述出口连通的贯孔与至少一相邻的贯孔连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵任民，黄志伟，刘安钧，洪羿达，
申请(专利权)人：昱成光能股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：