形成板的装置制造方法及图纸

一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于自熔体形成板，且更明确而言，是有关于自熔体形成无错位板。
技术介绍
举例而言，集成电路或太阳能电池产业中可使用硅晶圆或板。随着对再生性能源的需求增加，对太阳能电池的需求亦持续增加。随着此等需求增加,太阳能电池产业的一目标为降低成本/功率比。存在两种类型的太阳能电池:硅与薄膜。大多数太阳能电池由硅晶圆(诸如单晶体硅晶圆)制成。目前，结晶硅太阳能电池的主要成本为太阳能电池制造于其上的晶圆。太阳能电池的效率或在标准照明下所产生的功率量部分地受此晶圆的品质限制。制造晶圆的成本在不降低品质的情况下的任何减少均将降低成本/功率比，且允许此干净能源技术的较宽可用性。最闻效率娃太阳能电池可具有大于20%的效率。此等娃太阳能电池是使用电子级单晶娃晶圆而制成。可藉由自 使用柴式拉晶法(Czochralskmethod)生长的单晶娃圆柱形晶块(boule)锯切薄片层来制成此类晶圆。此等片层的厚度可小于200 ym。为维持单晶体生长，所述晶块必须自含有熔体的坩埚(crucible)缓慢地生长，诸如小于IOii m/s。随后的锯切制程对每晶圆导致大约200 ii m的锯口损失(kerf l本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成板的装置，包括：容器，界定经组态以容纳材料的熔体的通道；以及冷却平板，位于所述熔体上方，具有第一部分及第二部分，所述第一部分具有第一宽度，所述第二部分具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

【技术特征摘要】
2008.06.05 US 61/059,150;2009.06.04 US 12/478,5131.一种形成板的装置，包括: 容器，界定经组态以容纳材料的熔体的通道；以及 冷却平板，位于所述熔体上方，具有第一部分及第二部分，所述第一部分具有第一宽度，所述第二部分具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。2.根据权利要求1所述的形成板的装置，其中所述冷却平板包括高热扩散率层及低热扩散率层，所述高热扩...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼德·L·凯勒曼，法兰克·辛克莱，菲德梨克·卡尔森，尼可拉斯·P·T·贝特曼，罗伯特·J·米歇尔，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：