晶体生长温度梯度测试方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体生长温度梯度测试方法，包括以下步骤：（1）向单晶生长炉内的坩埚中装入原料，抽真空；（2）加热熔融原料得到熔体，降温至下种温度，记下发热体的电流I及电势U；（3）降温开炉，将籽晶杆更换成装有铂-铑热电偶的双孔陶瓷管；（4）重复步骤（2），使发热体的电流及电势分别为I和U；（5）轴向温度测试：将双孔陶瓷管的底端移至坩埚上方，间隔3~5mm测量一次温度，得到多组轴向温度；（6）径向温度测试：以坩埚上方一水平面为基准面，将双孔陶瓷管底端移至保温罩左侧，沿径向每间隔3~5mm测量温度，得到多组径向温度。本发明专利技术可以准确测量得到单晶生长炉内轴向、径向的温度及温度梯度，快速得到晶体生长所需要的温度分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于晶体生长

技术介绍
晶体在生长过程中，温度梯度的控制十分重要，控制坩埚中的温度梯度是生长出优质晶体材料的关键。不同的晶体材料不同的生长方法，对温度梯度要求不同，因此，温度梯度成为生长出优质晶体的关键技术之一。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种，测量准确、快速。按照本专利技术提供的技术方案，一种，特征是，包括以下步骤: (O向单晶生长炉内的坩埚中装入原料，坩埚外罩设保温罩，对单晶生长炉进行抽真空至1.0Χ1(Γ3 1.0XKT4Pa ； (2)对单晶生长炉内的发热体通电，对坩埚内的原料进行加热，至原料完全熔融得到熔体后，降温直至下种温度，恒温2 3小时；记下此时发热体的电流I及电势U，作为温度梯度检测时的参考值； (3)将籽晶提离熔体的液面，降温开炉；开炉后，将籽晶杆更换成内部装有钼-铑热电偶的双孔陶瓷管，将陶瓷管内部钼-铑热电偶的引线与岛电控制表连接，以测试实时温度； (4)重复步骤(2)，并使发热体的电流及电势分别为I和U; (5)轴向温度测试:将双孔陶瓷管的底端下移至离坩埚口6(T70mm高度处，该位置为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体生长温度梯度测试方法，其特征是，包括以下步骤：（1）向单晶生长炉内的坩埚中装入原料，坩埚外罩设保温罩，对单晶生长炉进行抽真空至1.0×10?3~1.0×10?4Pa；（2）对单晶生长炉内的发热体通电，对坩埚内的原料进行加热，至原料完全熔融得到熔体后，降温直至下种温度，恒温2～3小时；记下此时发热体的电流I及电势U，作为温度梯度检测时的参考值；?（3）将籽晶提离熔体的液面，降温开炉；开炉后，将籽晶杆更换成内部装有铂?铑热电偶的双孔陶瓷管，将陶瓷管内部铂?铑热电偶的引线与岛电控制表连接，以测试实时温度；（4）重复步骤（2），并使发热体的电流及电势分别为I和U；（5）轴向温度测试：将双孔陶瓷...

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长温度梯度测试方法，其特征是，包括以下步骤: (1)向单晶生长炉内的坩埚中装入原料，坩埚外罩设保温罩，对单晶生长炉进行抽真空至1.0Χ1(Γ3 1.0XKT4Pa ； (2)对单晶生长炉内的发热体通电，对坩埚内的原料进行加热，至原料完全熔融得到熔体后，降温直至下种温度，恒温2 3小时；记下此时发热体的电流I及电势U，作为温度梯度检测时的参考值； (3)将籽晶提离熔体的液面，降温开炉；开炉后，将籽晶杆更换成内部装有钼-铑热电偶的双孔陶瓷管，将陶瓷管内部钼-铑热电偶的引线与岛电控制表连接，以测试实时温度； (4)重复步骤(2)，并使发热体的电流及电势分别为I和U; (5)轴向温度测试:将双孔陶瓷管的底端下移至离坩埚口6(T70...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佳麒，李佼，高兴，
申请(专利权)人：元亮科技有限公司，
类型：发明
国别省市：