用于长晶的坩埚单元制造技术

技术编号:9153146 阅读:150 留言:0更新日期:2013-09-12 19:08
一种用于长晶的坩埚单元,包含一个坩埚及一个第一脱模涂层。该坩埚具有一个底壁及一个自该底壁的一周缘向上延伸以围绕该底壁的围壁。该第一脱模涂层覆盖该坩埚的底壁且实质由一陶瓷粉末所构成。该第一脱模涂层具有一个二维的粗糙区阵列。该二维的粗糙区阵列具有多个第一、二粗糙区。所述第一、二粗糙区是沿一第一方向依序轮流设置,并沿一第二方向依序轮流设置,且各第一粗糙区的陶瓷粉末的粒径大于各第二粗糙区的陶瓷粉末的粒径。借该底壁的二维的粗糙区阵列的各第一粗糙区与各第二粗测区的陶瓷粉末粒径差异,以使得晶锭于成核期所形成的晶核可均匀地分布,并提供各晶向的晶粒具有不同的成长速率以相互竞争,从而改善晶粒尺寸不均的问题。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于长晶的坩埚单元,包含一个坩埚及一个第一脱模涂层;其特征在于:该坩埚具有一个底壁及一个围壁,该围壁自该底壁的一周缘向上延伸以围绕该底壁,并与该底壁共同界定出该坩埚的一容置空间;该第一脱模涂层覆盖于该坩埚的底壁,且由一陶瓷粉末所构成,该第一脱模涂层具有一个二维的粗糙区阵列,该二维的粗糙区阵列具有多个第一粗糙区及多个第二粗糙区,所述第一粗糙区与所述第二粗糙区是沿一第一方向依序轮流设置,并沿一第二方向依序轮流设置,且各第一粗糙区的陶瓷粉末的粒径大于各第二粗糙区的陶瓷粉末的粒径。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:邵任民黄志伟刘安钧陈伟晖
申请(专利权)人:昱成光能股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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