【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备半导体光检测装置例如太阳能电池和光检测器的方法以及根据所述方法制备的产品。本专利技术对于高功率太阳能电池和光检测器是特别有用的。更具体地,本专利技术涉及一种将太阳能电池上的防反射涂层图案化的方法,特别是多结太阳能电池,以提供具有最小损失的外延接触区域。
技术介绍
传统的光检测装置具有减小光(如太阳光)电能量转换效率的特征。例如,一部分吸收的光(太阳光)能不能被收集在电极上作为电能并且不得不以热量形式被浪费。对于高功率装置,浪费的热量可能导致明显升高的温度,从而进一步降低装置的性能。希望的是改善半导体光检测装置中的效率,特别是太阳能电池装置中的效率。传统的多结太阳能电池已经广泛用于陆地和空间应用中。多结太阳能电池,通常被认为是高功率太阳能电池,包含串联连接的多个二极管(也称为结),通过在半导体衬底上以叠层形式生长薄的外延区域而实现。在叠层中的每个结被优化用于吸收太阳光谱的不同部分,从而改善太阳能转换的效率。现有技术的多结太阳能电池加工过程的典型制备步骤已经被D.Danzilio等人在“Overview of EMCOREJ s Mult1-junction Solar Cell Technology and HighVolumeManufacturing Capabilities”,CS MANTECH Conference,May,14-172007,Austin,TX,USA中描述并总结如下。应当注意,下面的清单仅仅给出基本步骤,也可以使用附加的工艺步骤。1.外延生长2.台面光刻和蚀刻3.金属栅光刻沉积和剥离4.顶部光刻和蚀刻5. ...
【技术保护点】
一种制备半导体光检测装置的方法,包括以下步骤:提供包含其上具有生长的半导体光检测装置外延的衬底的晶圆,其中,在所述外延中的所述上部区域是顶部区域;然后使用光刻技术用顶部蚀刻图案中的顶部蚀刻光刻胶使所述晶圆图案化,所述顶部蚀刻图案限定触点区域;然后根据所述顶部蚀刻图案蚀刻掉暴露区域中的顶部区域;然后在不去除所述顶部蚀刻光刻胶的情况下在所述晶圆上施加防反射涂层;且然后使用剥离过程去除顶部蚀刻光刻胶,以暴露触点区域,并且仅剥离在所述触点区域上的防反射涂层,以便对准顶部区域和防反射涂层的图案。
【技术特征摘要】
2011.10.27 US 13/283,3791.一种制备半导体光检测装置的方法,包括以下步骤: 提供包含其上具有生长的半导体光检测装置外延的衬底的晶圆,其中, 在所述外延中的所述上部区域是顶部区域;然后 使用光刻技术用顶部蚀刻图案中的顶部蚀刻光刻胶使所述晶圆图案化,所述顶部蚀刻图案限定触点区域;然后 根据所述顶部蚀刻图案蚀刻掉暴露区域中的顶部区域;然后在不去除所述顶部蚀刻光刻胶的情况下在所述晶圆上施加防反射涂层;且然后 使用剥离过程去除顶部蚀刻光刻胶,以暴露触点区域,并且仅剥离在所述触点区域上的防反射涂层,以便对准顶部区域和防反射涂层的图案。2.根据权利要求1的方法,其中,没有中间步骤地进行权利要求1的所有步骤,使得在晶圆提供步骤之后直接进行晶圆图案化步骤。3.根据权利要求1的方法,其中,在晶圆提供步骤和晶圆图案化步骤之间可以进行中间步骤。4.根据权利要求1的方法,其中,在所述顶部蚀刻图案中的顶部的宽度大于随后施加的上层金属的厚度。5.根据权利要求1的方法,其中,在所述顶部蚀刻图案中的顶部的宽度小于随后施加的上层金属的厚度。6.根据权利要求1的方法,其中,在所述顶部蚀刻图案中的顶部与随后施加的上层金属的图案匹配。7.一种制备半导体光检测装置的方法,包括以下步骤; 提供包含具有外延区域(45)、顶部区域(3)和前表面场区域(4)的衬底的晶圆(5),所述顶部区域在所述外延区域顶上,所述前表面场区域在所述顶部区域和所述外延区域(45)之间; 使用光刻技术用在自对准顶部蚀刻图案中的顶部蚀刻光刻胶使所述晶圆图案化;然后 根据所述自对准顶部蚀刻图案蚀刻暴露区域中的顶部区域,以暴露前表面区域;然后 在不去除所述顶部蚀刻光刻胶的情况下在所述前表面场区域的暴露区域上施加防反射涂层;且然后 根据剥离过程去除自对准顶部蚀刻光刻胶以剥离所述防反射涂层,从而用防反射涂层完全覆盖所述前表面场区域并产生与图案化的防反射涂层自对准的暴露的触点区域。8.根据权利要求7的方法,其中,在没有中间步骤的情况下进行权利要求1的所有步骤,使得在晶圆提供步骤之后直接进行晶圆图案化步骤。9.根据权利要求7的方法,其中,在晶圆提供步骤和晶圆图案化步骤之间可以进行中间步骤。10.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:张岚,埃维莉娜·N·路科,奥那尔·费丹尔,迈克尔·W·威梅尔,
申请(专利权)人:太阳光电公司,
类型:发明
国别省市:
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