一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法，将硅片装片后推进加工炉，往加工炉内通入氧气并升温，硅片在高温下氧化生成二氧化硅保护层，再对加工炉降温直到五氧化二磷可沉积的温度，通入三氯氧磷、氧气和氮气，三氯氧磷分解生成的五氧化二磷沉积在硅片表面，与硅片发生反应生成磷，然后磷向硅片体内扩散，最后通入氧气再升高温度，使得三氯氧磷能够充分反应，并向硅片体内扩散形成结深的PN结，该方法主要通过对硅片进行高温氧化和低温沉积，从而有效降低硅片的硅格损伤，提高硅片表面少子的寿命，改善形成的PN结的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及ー种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法。
技术介绍
太阳能电池，也称光伏电池，是ー种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是緑色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是ー种有广阔发展前途的新型能源。其中，制造太阳能电池的核心エ艺是通过磷扩散在硅片上形成发射极，即PN结，而传统扩散エ艺的流程为:装硅片进炉一氮气氛中升温一稳定温度一氮气携帯P0CL3+02于加工炉内进行扩散反应一降温出加工炉。而本专利技术的专利技术人在实施上述技术方案时发现，PN结是由磷扩散形成的高浓度区域，在这个高浓度区域中，ー些不活泼的磷处于硅片晶格间隙引起晶格畸变，而且，由于磷和硅原子的半径不匹配，高浓度的磷还会造成晶格失配，降低多硅片表面少子的寿命，而被娃片表面吸收的短波光子还未能转换成电能就会被复合掉，从而形成一死层；另外的，若磷扩散形成的PN结不均匀，将会影响后续PN结的烧结。其中，PN结的均匀性主要体现在PN结各处的方块电阻Rsq的均匀性，特性不同的PN结对应不同的烧结曲线，不同的方块电阻Rsq也对应不同的烧结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法，其特征在于，包括：对硅片进行装片并推进加工炉内；向所述加工炉中通入氧气并开始升温，使所述加工炉内的温度达到所述硅片可氧化的氧化温度并停止升温；让所述硅片在所述氧化温度下进行氧化，直至所述硅片表面生成一层二氧化硅氧化层；向所述加工炉中通入氮气并开始降温，使所述加工炉内温度降至五氧化二磷可沉积的沉积温度，然后保持所述加工炉内所述沉积温度不变；向所述加工炉内通入三氯氧磷、氧气和氮气，其中，所述三氯氧磷分解生成五氯化磷和五氧化二磷，所述五氯化磷与所述氧气反应生成五氧化二磷和氯气，所述五氧化二磷沉积在所述硅片表面上，并且与所述硅片反应生成磷和二氧化硅，所述磷向硅片...

【技术特征摘要】
1.一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法，其特征在于，包括: 对硅片进行装片并推进加工炉内； 向所述加工炉中通入氧气并开始升温，使所述加工炉内的温度达到所述硅片可氧化的氧化温度并停止升温； 让所述硅片在所述氧化温度下进行氧化，直至所述硅片表面生成一层二氧化硅氧化层； 向所述加工炉中通入氮气并开始降温，使所述加工炉内温度降至五氧化二磷可沉积的沉积温度，然后保持所述加工炉内所述沉积温度不变； 向所述加工炉内通入三氯氧磷、氧气和氮气，其中，所述三氯氧磷分解生成五氯化磷和五氧化二磷，所述五氯化磷与所述氧气反应生成五氧化二磷和氯气，所述五氧化二磷沉积在所述硅片表面上，并且与所述硅片反应生成磷和二氧化硅，所述磷向硅片体内扩散； 向所述加工炉内通入过量氧气并对所述加工炉进行升温，以使得所述三氯氧磷充分分解，并且使得所述磷向所述硅片体内推进，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁惠珏，
申请(专利权)人：浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：